Laser MBE

Laser MBE

特點

• 模塊化概念,，Laser MBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊

• UHV PLD主腔室、利用Load-lock實現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸

• *的工藝自動化功能,，可實現(xiàn)超晶格生長

• 溫度測量準(zhǔn)確的耐氧襯底加熱器,，1000 ℃，也可以選配激光加熱

• 靶臺可以屏蔽交叉污染,，傳輸整個carrousel而非單個靶材

• 真空腔室利于系統(tǒng)升級（RHEED,，等離子體源，OES/FTIR等）

• SURFACE激光能量密度控制選件,，99%的結(jié)果可重復(fù)性

• 全封閉光路,，安全省事

• 整套交付，*的在線支持

PLD/Laser MBE腔室

PLD/Laser MBE腔室

SURFACE的Laser MBE腔室專為科研而設(shè)計,，并提供高級Laser MBE需要的所有特征,。

• 襯底和靶材的UHV傳輸

• 冷壁設(shè)計防止沉積過程中腔壁放氣

• 原位分析窗口和法蘭口（RHEED，OES或FTIR,，質(zhì)譜儀）

• 沉積源和等離子體源備用法蘭口

• *的SURFACE襯底加熱器或激光加熱

• 靶臺最多可存貯5個1寸靶材

激光能量密度控制

激光能量密度控制

Laser MBE可以選配SURFACE 激光能量密度控制功能,。它可以確保薄膜沉積的重復(fù)性,。在每一步沉積前，自動校準(zhǔn)激光能量密度,，脈沖能量隨著時間推移而始終保持恒定,。

Load Lock

Loadlock腔室最多可同時裝載5個樣品和2個靶臺carrousel。

控制軟件

控制軟件

SURFACE的Laser MBE設(shè)備均是高度自動化的,，可以自動控制整個沉積過程,，從而確保設(shè)備易于操作。

多個工藝步驟被合并到一個沉積程序中,，直觀的工藝過程可視化操作,，高度靈活的數(shù)據(jù)記錄和導(dǎo)出，優(yōu)異的自我測試能力,。

升級到Cluster系統(tǒng)

Cluster系統(tǒng)

Laser MBE可以輕松升級為功能齊備的cluster系統(tǒng),。在PLD主腔室和Load-lock進(jìn)樣室中間插入cluster傳輸模塊。模塊化設(shè)計和輪式支架簡化了升級過程,，可根據(jù)需要和預(yù)算來升級系統(tǒng),。