硅APD探測模塊 SPDSi

    上海屹持光電單光子計數(shù)模塊SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器,。探測波段覆蓋200 -1060 nm，可工作在線性模式和蓋革模式,。蓋革模式下增益超過60 dB,。SPDSi*的高性能主動抑制電路，可以實現(xiàn)連續(xù)的單光子探測,，并且可加載任意寬度和周期的探測門,。該電路實現(xiàn)了大于20 dB的雪崩抑制，從而將Si APD的性能發(fā)揮到優(yōu)秀狀態(tài),。在700 nm波段的探測效率超過60%,，暗計數(shù)200-2000 cps，死時間小于50 ns,。  

SPDSi標(biāo)準(zhǔn)型號的有效光敏探測面積最高可達(dá)500 um,，單光子計數(shù)信號在模塊內(nèi)部轉(zhuǎn)化為數(shù)字TTL信號，并通過SMA接口送出,。高度集成的模塊化設(shè)計便于OEM應(yīng)用和工業(yè)集成,。  

APD通過模塊內(nèi)部制冷工作在-20 ℃的低溫環(huán)境下，以獲得優(yōu)秀的信噪比,。制冷模塊由高效的TEC控制,。控制精度可達(dá)±0.2 ℃,。  

技術(shù)特點：  

高探測效率：65%@700 nm,；         500  um光敏面積；  

TTL數(shù)字信號輸出,；                       低暗計數(shù),；  

低后脈沖；                                   低時間抖動,；  

應(yīng)用領(lǐng)域：  

熒光測量,；                                   激光測距；  

量子通信,；                                   光譜測量,；                                          

光子關(guān)聯(lián)；                                   自適應(yīng)光學(xué),；  

               Fig1. 量子效率                                                                                    Fig2.  Si單光子探測器

Fig3.  Si單光子探測器結(jié)構(gòu)圖

產(chǎn)品參數(shù)：

產(chǎn)品說明：

1.          不正確的電壓可能損壞模塊,，應(yīng)保證接入電源不高于28V，并可提供足夠電流,。

2.          APD屬于高靈敏光電探測器件,，在雪崩狀態(tài)下應(yīng)控制輸入光信號強(qiáng)度，過高的光強(qiáng)可能損壞APD,，這種損害可能降低APD的探測靈敏度,，嚴(yán)重時甚至?xí)斐啥O管擊穿。

3.          在特殊的應(yīng)用場景下，應(yīng)保證模塊的工作溫度不超過50  ℃,，過高的溫度可能導(dǎo)致APD工作溫度上升,，從而引起暗計數(shù)水平升高。

4.          SPDSi的默認(rèn)死時間為50ns,。死時間設(shè)定會影響模塊的最大計數(shù)率,，當(dāng)死時間設(shè)定在50ns時，最大計數(shù)率為10Mcps,，如您的應(yīng)用對死時間設(shè)定有特別要求,，請在訂購時與我們聯(lián)系。

5.          同樣,，輸出信號的脈寬也會影響最大計數(shù)率,，典型脈寬為30 ns，如您的應(yīng)用對輸出信號有特別要求,，請在訂購時與我們聯(lián)系,。

6.          SPDSi支持空間和光纖接口接入。

單光子探測器選型：