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LT-GaAs 低溫砷化鎵基片外延生長定制

參考價1000-10000/臺
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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上海屹持光電技術(shù)有限公司致力于光電事業(yè)的發(fā)展,,專業(yè)從事光學(xué)實驗室設(shè)備研究,、開發(fā)、制造及銷售,,憑借公司強大的技術(shù)力量和經(jīng)濟實力,,不斷開發(fā)出具有優(yōu)良技術(shù)水平的新產(chǎn)品。

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LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固體,,熔點1238℃,。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不為非氧化性的酸侵蝕,。砷化鎵可作半導(dǎo)體材料,,其電子遷移率高、介電常數(shù)小,,能引入深能級雜質(zhì),、電子有效質(zhì)量小,能帶結(jié)構(gòu)特殊,,可作外延片,。

1、半導(dǎo)體光電子器件結(jié)構(gòu)生長

我們可在GaAs砷化鎵基底上生長高質(zhì)量AlAs,、GaAs,、InAs、AlGaAs,、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層,,適用于不同應(yīng)用。

2,、低溫砷化鎵

對于某些應(yīng)用需要快速響應(yīng)裝置,,例如光學(xué)探測器,、可飽和吸收器 或光電導(dǎo)天線。我們提供低溫外延生長器件,,響應(yīng)時間短至1  ps。

我們可提供以下在GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的低溫砷化鎵,。

低溫砷化鎵基片外延生長定制參數(shù)如下:

  • 砷化鎵晶片直徑:2" 或4"

  • 最大薄膜疊層厚度:5 μm

規(guī)格:

  • LT-GaAs-50.8:2"(50.8 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-GaAs-100:4"(100 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-InGaAs-100:4"(100  mm)LT-InGaAs晶圓片

  • LT-GaA-100-C:具有定制金屬結(jié)構(gòu)的4"(100  mm)LT-GaAs晶圓片


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