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哈美頓(上海)實驗器材有限公司

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光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體

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上海屹持光電技術(shù)有限公司致力于光電事業(yè)的發(fā)展,,專業(yè)從事光學(xué)實驗室設(shè)備研究、開發(fā),、制造及銷售,,憑借公司強大的技術(shù)力量和經(jīng)濟實力,不斷開發(fā)出具有優(yōu)良技術(shù)水平的新產(chǎn)品,。

  公司本著技術(shù)優(yōu)良,、質(zhì)量*、客戶*的原則為廣大用戶提供滿意的服務(wù),。






太赫茲,,超快,激光器及調(diào)制測量設(shè)備

供貨周期 兩周 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,電子

光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體

光折變晶體:SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

     光折變效應(yīng)是局部折射率通過光強度的空間變化而改變的現(xiàn)象,。當(dāng)形成空間變化的照明圖案的光折射材料中,,相干光彼此干涉時,可強烈觀察到,。這是由于漂移或擴散和空間電荷分離效應(yīng),,在遷移材料中產(chǎn)生電荷載流子。產(chǎn)生的所產(chǎn)生的電場通過電光效應(yīng)引起折射率變化,。其中一些應(yīng)用是空間光調(diào)制器,,4波混頻,相位共軛,,光存儲器和計算,。

     Sillenite單晶Bi12SiO20(BSO)和Bi12GeO20(BGO)顯示了不同物理性質(zhì)的組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導(dǎo)體,,具有低暗電導(dǎo)率,,允許建立大的光誘導(dǎo)空間電荷。光電導(dǎo)性和光電特性的強烈光譜依賴性允許開發(fā)和生產(chǎn)各種各樣的光學(xué)器件和系統(tǒng),。BSO和BGO晶體用于空間光調(diào)制器,,動態(tài)實時全息記錄設(shè)備,相位共軛波混合,,光學(xué)相關(guān)器和光學(xué)激光系統(tǒng),,用于超短光脈沖的自適應(yīng)校正。光誘導(dǎo)吸收使其有可能開發(fā)和生產(chǎn)“光  - 光”型光學(xué)器件,,如光學(xué)調(diào)制器,,開關(guān)等。   通過不同技術(shù)制造氧化亞錫薄膜晶體結(jié)構(gòu)允許開發(fā)包括光學(xué)波導(dǎo),,集成光學(xué)器件的多種裝置,。基于Sillenites的波導(dǎo)光學(xué)結(jié)構(gòu)的使用允許在寬光譜范圍內(nèi)實現(xiàn)均勻照射(通常到波導(dǎo)平面)。

                    

BGO                                       SBN

    Sillenite  Oxides的相對較大的電光和法拉第效應(yīng)使其可用于光纖電/磁場傳感器,。我們能夠少量提供未摻雜的BSO和BGO晶體用于科學(xué)研究,,并大量用于工業(yè)目的。隨著2x2x2  - 25x25x25 mm3晶體,,我們還提供帶有ITO(氧化銦錫)涂層的孔徑高達(dá)30x30 mm2,,厚度為0.5 - 5 mm的晶體板。
     鍶鋇鈮酸鹽(SrxBa(1-x)Nb2O6)SBN是一種優(yōu)異的光學(xué)和光折變材料,。名義上純,,由Ce,Cr,,Co,,F(xiàn)e摻雜。不同組成的SBN晶體用于電光學(xué),,聲光學(xué)和光折變非線性光學(xué)器件,。一種新的生長技術(shù)提供了優(yōu)異的光學(xué)質(zhì)量單晶,沒有生長條紋,,夾雜物和其他不均勻性,,以及高達(dá)80mm的確定橫截面和線性尺寸。SBN晶體元件滿足不同應(yīng)用的要求,?;谶@種的晶體生長技術(shù),可以使用大量高質(zhì)量的SBN光學(xué)元件和光折變單元,,F(xiàn)e:LiNbO3(其他摻雜劑可用),。

    鐵摻雜鈮酸鋰晶體(Fe:LiNbO3)是一種常用的具有高電光(EO)系數(shù),高光折變靈敏度和衍射效率的光折變材料,。與BaTiO3系列光折變晶體相比,,它具有易于操作和存儲,成本低,,尺寸利用率大等突出優(yōu)點,,使其更適用于批量制造和實用設(shè)備。因此,,F(xiàn)e:LiNbO3晶體將預(yù)測廣泛的應(yīng)用,。MolTech提供具有不同F(xiàn)e摻雜濃度,尺寸和光學(xué)處理要求的晶體,。


光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體

光折變晶體:SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體


晶體

Bi 12 SiO 20(BSO)  

Bi 12 GeO 20(BGO)  

Fe:LiNbO 3  

SBN  x = 0.60  

SBN  x = 0.75  

晶體結(jié)構(gòu)  

立方,,點組:23

立方,點組:23

三角形,,3m  

4mm  

4mm  

晶格(胞)參數(shù),,?  

10.10  

10.15  

-  

a = 12.46,,c =  3.946

a = 12.43024,c =  3.91341

透射范圍,,μm  

0.4-6  

0.4-7  

  0.35 -  5.5

0.3 5 -  6.0

0.35 -  6.0

折射率在0.63μm  

2.54  

2.55  

2.20(ne),,2.29(no)

e  =  2.33,n o  = 2.36  @0.51μm

e  =  2.35,,n o  = 2.37  @0.51μm

電光系數(shù)r41,pm  / V  

5  

3.5  

r22 = 6.8,,r31 = 10,,r33 =  32

13 =  47,r 33 = 235

13 =  67,,r 33 = 1340

光學(xué)活性,,500納米處的deg  / mm  

42  

41.5  

-  

-  

-  

在600nm處為  - deg / mm  

25  

24  

-  

-  

-  

密度,g /  cm 3  

9.15  

9.2  

4.64  

5.4  

5.4  

莫氏硬度  

5  

5  

5  

5.5  

5.5  

熔點,,C  

890  

920  

1255(Tc =  1140)

1500±10°C

1500±10°C

介電常數(shù)  

56  

40  

85(e11)30(e33)

880  

3400  

暗電阻,,歐姆厘米  

10 14

10 14

-  

-  

  -  

吸收系數(shù)@0.44μm  

-  

-  

-  

   0.3cm -1

-    

在25°C時的熱導(dǎo)率  

-  

-  

-  


0.006 W / cm *  K

@  1370至1470℃下  

-  

-  

-  

-  

0.008 W / cm *  K

熱光系數(shù)dn e /  dT  

-  

-  

-  

3×10 -4 K -1

-  

居里溫度  

-  

-  

-  

75℃  

56℃  

半波電壓  

-  

-  

-  

240伏  

48  V  

我們可提供棒或薄片,由具有不同橫截面和尺寸的薄膜光折射晶體制成,。不同濃度的不同摻雜劑可滿足特定客戶的要求,。


光折變晶體:SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體


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