偷偷告訴您美國(guó)TI電源芯片有*

   TI的電源管理芯片是缺貨漲價(jià)最嚴(yán)重的產(chǎn)品之一,，但是我們東莞市廣聯(lián)公司現(xiàn)貨美國(guó)TI（Texas Instruments）品牌渠道好，直接從國(guó)外拿貨,，TPS系列,、TLV系列、BQ系列,、UCC系列芯片價(jià)格好,，貨期短，直接自己公司報(bào)關(guān),，幫您省去很多煩腦,！東莞廣聯(lián)公司優(yōu)勢(shì)供應(yīng)美國(guó)TI芯片MSP430G2202，MSP430G2x32,、MSP430G2

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在這芯片緊缺時(shí)代,，我們做到了保證貨期準(zhǔn)時(shí)，*,，服務(wù)好,，品質(zhì)優(yōu)的宗旨！

制造商：TI（德州儀器）出廠封裝：30-TSSOP功能類別：專用型穩(wěn)壓器芯片

    TI德州儀器公司完整型號(hào)：TPS51020DBTG4

制造廠家名稱：Texas Instruments（簡(jiǎn)稱TI）

描述：IC DUAL DC/DC SYNC CTRLR 30TSSOP

系列：-

應(yīng)用：控制器,，DDR

電壓 - 輸入：4.5 V ~ 28 V

輸出數(shù)：2

電壓 - 輸出：0.9 V ~ 24 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：30-TFSOP（0.173",，4.40mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：30-TSSOP

TI 工廠自 1996 年以來(lái)便已獲得國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織 (ISO) 質(zhì)量管理體系 (ISO 9001) 和環(huán)境管理體系 (ISO 14001) 認(rèn)證,，體現(xiàn)了公司致力于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的承諾。我們的大多數(shù)工廠還通過(guò)了 ISO/IATF 16949 認(rèn)證,，從而滿足專門用于確保*汽車行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量的 ISO/IATF 16949 國(guó)際質(zhì)量體系標(biāo)準(zhǔn),。此外，所有 TI 制造工廠均已取得關(guān)于職業(yè)安全與健康的 ISO 45001 認(rèn)證,。

TI 有關(guān)這些標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證的鏈接如下：

ISO 9001

TI 自 2004 年以來(lái)就參與了 ISO 9001 認(rèn)證,。下面是由 Bureau Veritas 頒發(fā)的證書： 

德州儀器 (TI) 公司 ISO 9001：2015 認(rèn)證 - 包括所有工廠。  

溫度循環(huán)

根據(jù) JED22-A104 標(biāo)準(zhǔn),，溫度循環(huán) (TC) 讓部件經(jīng)受高溫和低溫之間的轉(zhuǎn)換,。進(jìn)行該測(cè)試時(shí)，將部件反復(fù)暴露于這些條件下經(jīng)過(guò)預(yù)定的循環(huán)次數(shù),。

高溫工作壽命 (HTOL)

HTOL 用于確定高溫工作條件下的器件可靠性,。該測(cè)試通常根據(jù) JESD22-A108 標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行。

溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試 (BHAST)

根據(jù) JESD22-A110 標(biāo)準(zhǔn),，THB 和 BHAST 讓器件經(jīng)受高溫高濕條件,，同時(shí)處于偏壓之下，其目標(biāo)是讓器件加速腐蝕,。THB 和 BHAST 用途相同,，但 BHAST 條件和測(cè)試過(guò)程讓可靠性團(tuán)隊(duì)的測(cè)試速度比 THB 快得多。

熱壓器/無(wú)偏壓 HAST

熱壓器和無(wú)偏壓 HAST 用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性,。與 THB 和 BHAST 一樣,，它用于加速腐蝕。不過(guò),，與這些測(cè)試不同,，不會(huì)對(duì)部件施加偏壓。

高溫貯存

HTS（也稱為“烘烤”或 HTSL）用于確定器件在高溫下的長(zhǎng)期可靠性,。與 HTOL 不同,，器件在測(cè)試期間不處于運(yùn)行條件下。

靜電放電 (ESD)

靜電荷是靜置時(shí)的非平衡電荷,。通常情況下,，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產(chǎn)生；一個(gè)表面獲得電子,，而另一個(gè)表面失去電子,。其結(jié)果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

當(dāng)靜電荷從一個(gè)表面移到另一個(gè)表面時(shí),，它便成為靜電放電 (ESD),，并以微型閃電的形式在兩個(gè)表面之間移動(dòng)。

當(dāng)靜電荷移動(dòng)時(shí),，就形成了電流,，因此可以損害或破壞柵極氧化層,、金屬層和結(jié)。

JEDEC 通過(guò)兩種方式測(cè)試 ESD：

1.人體放電模型 (HBM)

一種組件級(jí)應(yīng)力,，用于模擬人體通過(guò)器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為,。

HBM

2.帶電器件模型 (CDM)

一種組件級(jí)應(yīng)力,，根據(jù) JEDEC JESD22-C101 規(guī)范,，模擬生產(chǎn)設(shè)備和過(guò)程中的充電和放電事件。

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