美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號,。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能,，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細胞來復制大腦的 3 維結構,。 與動物模型和 2D 細胞培養(yǎng)物相比,，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而,，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺,。

Electrophysiology Module電生理模塊

功能

細胞電刺激、電生理活動記錄,、阻抗測量,，系統(tǒng)擁有完整的環(huán)境控制功能,，能夠長期、實時,、非侵襲性地開展電生理實驗工作,，能夠便捷、高通量地測量活細胞的電網(wǎng)絡行為,，探索生命的電路圖,。

描述

★細胞力-電耦合靈活：拉伸前中后進行電刺激以及電生理活動記錄分析

★拉伸前后電生理活動的比較（標準化）

★拉伸前中后阻抗定量測量：可選頻率、時間,、電壓,，實時圖形化測量，方便的cvs測量結果導出

★記錄電生理活動（有或無應力刺激）

★60個頻道的刺激和電生理活動記錄（可以升級到120個頻道）

★成本低

電生理活動-力學細胞模型

體外細胞拉伸,、電生理,、成像三合一系統(tǒng)

拉伸：應變率≤80/s，應變≤50%

多通道微電極：2x60

細胞拉伸前,、細胞拉伸時,、細胞拉伸后：MEA電刺激、阻抗定量測量以及電生理活動的記錄

電阻抗定量測量分析,，測量結果方便導出為excel表格：

阻抗測試通常用于確定不良記錄的來源,，這可能是由高電極阻抗、不正確的屏蔽/接地或其他問題引起的,。 sMEA 和MEA的阻抗測量通常使用 PBS 或細胞培養(yǎng)基作為電解質進行,。

tretchable Microelectrode Array (sMEA)可拉伸微電極陣列

產(chǎn)品特性

·         靈活、可拉伸,、柔軟

·         電生理活動的記錄和刺激

·         機械強度：拉伸,、彎曲、扭曲

·         低電阻抗

·         可彈性伸縮

·         低彈性模量

·         低疲勞

·         價格低廉