美國bm 薄膜微電極陣列阻抗自動測試分析系統(tǒng)
- 公司名稱 世聯(lián)博研(北京)科技有限公司
- 品牌
- 型號 美國bm
- 產(chǎn)地 美國
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2022/5/5 14:26:58
- 訪問次數(shù) 286
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應用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥/生物制藥,綜合 | 模塊化力,、電生理、成像三合一 | 集成 |
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拉伸 | 應變率≤80/s,,應變≤50% | 多通道微電極 | 2x60 |
高分辨率活細胞成像 | 2MP分辨率下每秒高達2000幀 |
薄膜微電極陣列阻抗自動測試分析系統(tǒng) 薄膜微電極陣列阻抗自動測試分析系統(tǒng) |
美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)
機械力刺激
電刺激記錄
高分辨率成像三合一
美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型
3D 貼合微電極陣列,,用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準確評估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能,,以推進眾多領(lǐng)域的藥物測試和組織工程,。
傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的,因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分,,而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸,,以收集比以前更多的神經(jīng)信號。
3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境,,以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能,。 這項新技術(shù)將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥,、慢性創(chuàng)傷性腦病,、自閉癥等方面的研究。
電生理模塊:細胞電刺激,、 電生理活動記錄,、 電阻抗測量
細胞力-電耦合靈活:
★拉伸前中后進行電刺激以及電生理活動記錄分析
★拉伸前后電生理活動的比較(標準化)
★拉伸前中后阻抗定量測量:可選頻率、時間,、電壓,,實時圖形化測量,方便的cvs測量結(jié)果導出
★記錄電生理活動(有或無應力刺激)
★60個頻道的刺激和電生理活動記錄(可以升級到120個頻道)
★成本低
具有微通道結(jié)構(gòu)的可拉伸 MEA
促進具有軸突引導的結(jié)構(gòu)化神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò),,以研究神經(jīng)元結(jié)構(gòu)如何與功能相關(guān)
記錄和刺激細胞外電生理活動
彈性可拉伸(硅膠)基材和微結(jié)構(gòu)
可定制的圖案和電極數(shù)量
完整的力,、電刺激培養(yǎng)+高分辨率成像模塊系統(tǒng)
MEASSURE 是一個完整的解決方案,供研究人員以機械方式拉伸細胞/組織,、對其進行光學成像以及分別或同時記錄/刺激電生理活動,。
MEASSURE 使研究人員能夠可重復且可靠地研究生理和病理機械拉伸對生物組織電生理學的影響。
MEASSURE 將三種不同的方法集成到一個系統(tǒng)中:
(1) 細胞拉伸裝置
(2) 用于電生理學的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
(3) 活細胞成像系統(tǒng),。