美國bm 評估損傷神經元電生理變化
具體成交價以合同協(xié)議為準
- 公司名稱 世聯(lián)博研（北京）科技有限公司
- 品牌
- 型號 美國bm
- 產地 美國
- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2022/5/5 14:06:02
- 訪問次數(shù) 185
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| 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產業(yè),制藥/生物制藥,綜合 | 模塊化力、電生理,、成像三合一 | 集成 |
|---|---|---|---|
| 拉伸 | 應變率≤80/s,，應變≤50% | 多通道微電極 | 2x60 |
| 高分辨率活細胞成像 | 2MP分辨率下每秒高達2000幀 |
評估損傷神經元電生理變化 評估損傷神經元電生理變化 |
美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)
機械力刺激
電刺激記錄
高分辨率成像三合一
美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型
3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號,。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能,，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。
傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的,，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分,，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經信號,。
3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境,，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項新技術將推動創(chuàng)傷性腦損傷,、阿爾茨海默病及相關癡呆癥,、慢性創(chuàng)傷性腦病,、自閉癥等方面的研究,。
MEASSURE 能夠對神經保護化合物進行功能性藥物篩選
MEASSURE 在創(chuàng)傷性腦損傷 (TBI) 藥物發(fā)現(xiàn)方面的優(yōu)勢
基于電生理組織對拉伸（損傷）的反應篩選導聯(lián)
無需知道目標
尋找新的生物學機制
在臨床前開發(fā)早期消除候選藥物
避免拒絕潛在的候選藥物
通過減少體內測試的數(shù)量來節(jié)省時間、金錢和研究動物
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