正電子壽命譜 多普勒展寬譜 角動量關聯(lián)譜

產(chǎn)品簡介

   放射源發(fā)射出高能正電子射入物質中后，首先在極短時間內（約10-12ps以下）通過一系列非彈性碰撞減速,，損失絕大部分能量至熱能,，這一過程稱為注入與熱化。熱化后的正電子將在樣品中進行無規(guī)擴散熱運動,，晶格中空位,、位錯等缺陷往往帶有等效負電荷，由于庫侖引力 正電子容易被這些缺陷捕獲而停止擴散,，最后將在物質內部與電子發(fā)生湮沒,。從正電子射入物質到發(fā)生湮沒所經(jīng)歷的時間一般稱為正電子壽命。由于湮沒是隨機的,，正電子湮沒壽命只能從大量湮沒事件統(tǒng)計得出,。
 

性能特點

正電子湮沒技術對材料的結構相變和原子尺度的缺陷極為敏感，已經(jīng)成為研究物質微觀結構和電子結構的無損的探測分析手段,。正電子湮沒作為微觀分析技術一種,，其主要研究范圍在于針對原子尺寸的微結構和缺陷。與通常的微觀結構分析如STM,、SEM,、TEM等技術相比，正電子湮沒技術不僅可以提供缺陷的尺寸信息、相變信息,，而且可以提供缺陷隨深度分布的信息,，能夠深入的分析材料的電子結構以及正電子湮沒處的化學環(huán)境等，彌補了其他微觀探測技術的不足,，具有不可替代性,。

應用領域

1.金屬材料的形變、疲勞,、淬火,、輻照、摻雜,、氫損傷等在材料中造成的空位,、位錯、空位團等缺陷以及研究這些缺陷的退火效應,。

2.材料中相變過程,，如合金中的沉淀現(xiàn)象、馬氏體相變,、非晶態(tài)材料中的晶化過程,、離子固體中的相變、液晶及其他高分子材料,，聚合物中的相變,，凝聚態(tài)物理等

3.研究固體的能帶結構、費米面,、空位形成能等

4.研究材料的表面和表層結構和缺陷,。

技術優(yōu)勢

1.他對樣品材料的種類幾乎沒有什么限制，可以是固體,、液體或氣體,，可以是金屬、半導體,、絕緣體或高分子材料,，可以是單晶、多晶或液晶等,，適用于凡是與材料的電子密度及動量有關的問題,。

2.對樣品溫度沒有限制，可以跨越材料的熔點或凝固點,，而信息又是通過貫穿能力很強的γ射線攜帶而來,，因此可以對樣品做高低溫的動態(tài)原位測量，測量時可施加電場,、磁場,、高氣壓,、真空等特殊環(huán)境。

3.研究樣品中原子尺度的缺陷,，如晶格中缺少一個或多個原子的缺陷,，這些缺陷在電鏡、X衍射中研究頗為困難,。

4.簡單使用,，室溫測量下的PAT制樣方法

技術參數(shù)

1.采用SiPM設計,，時間分辨率<=120ps

2.計數(shù)率>1000cps

3.自動能窗調節(jié)

4.高壓漂移,，自動修正

5.數(shù)據(jù)文件無需修改格式，可直接解譜

6.用戶友好,，使用方便

我們提供樣品測試服務,，歡迎隨時聯(lián)系。