晶圓廠具有自動缺陷檢測的原子力顯微鏡
全自動AFM解決了缺陷成像和分析問題，提高缺陷檢測生產率達1000%,。
帕克的智能ADR技術提供全自動的缺陷檢測和識別,，使得關鍵的在線過程能夠通過高分辨率3D成像對缺陷類型進行分類并找出它們的來源,。
智能ADR專門為半導體工業(yè)設計提供缺陷檢測解決方案,，具有自動目標定位，且不需要經常損壞樣品的密集參考標記,。與傳統的缺陷檢測方法相比,，智能ADR過程提高了1000%的生產率。此外,，帕克具有創(chuàng)新性的True-Contact™模式AFM技術,，使得新的ADR有能力提供高達20倍的更長的探針壽命。

用于精確、高吞吐量CMP輪廓測量的低噪聲原子力輪廓儀
低噪聲Park原子力顯微鏡（AFM）與長距離滑動臺相結合，成為用于化學機械拋光（CMP）計量的原子力輪廓儀（AFP）。新的低噪聲AFP為局部和全面均勻性測量提供了非常平坦的輪廓掃描，具有*輪廓掃描精度和市場可重復性,。這保證了在寬范圍的輪廓量程上沒有非線性或高噪聲背景去除的精確高度測量,。

超高精度和最小化探針針尖變量的亞埃級表面粗糙度測量
晶圓的表面粗糙度對于確定半導體器件的性能是至關重要的,。對于元件制造商，芯片制造商和晶圓供應商都要求對晶圓上超平坦表面進行更精確的粗糙度控制,。通過提供低于 0.5 Å的業(yè)界噪聲,，并將其與真正的非接觸式模式相結合,，Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有最小針尖變量的的亞埃級粗糙度測量。Park的串擾消除還允許非常平坦的正交XY掃描,，不會有背景曲率，即使在最平坦的表面上,，也不需過多考慮掃描位置,、速率和大小,。這使得其非常精確和可重復地對微米級粗糙度到長范圍不平整表面進行測量。

為在線晶圓廠計量提供高生產率和強大特性
光片和基板的自動缺陷檢測
新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標轉換和校正到缺陷的測量和放大掃描成像的全自動缺陷復查過程，該過程不需要樣品晶片上的任何參考標記，是*重映射過程,。與掃描電子顯微鏡（SEM）運行后在缺陷部位留下方形的破壞性輻照痕跡不同,，新的帕克 ADR AFM能夠實現*的坐標轉換和更強的視覺,，利用晶圓邊緣和缺口來自動實現缺陷檢查設備和AFM之間的連接,。由于它是*自動化的，因此不需要任何單獨的步驟來校準目標缺陷檢查系統的移動平臺,，從而將吞吐量增加到1000%,。

基于強大視覺進行自動傳送和缺陷映射的校正
利用Park的專有坐標轉換技術,，新型Park ADR AFM能夠將激光散射缺陷檢測工具獲得的缺陷精確地傳送到300mm Park AFM系統,。

自動搜索 & 放大掃描
缺陷分兩步成像；(1)檢測成像，通過AFM或增強光學視覺來完善缺陷定位,，然后(2)放大AFM掃描來獲得缺陷的詳細圖像,，呈現缺陷類型和隨后缺陷尺寸的自動分析。

 CMP進行表征的長范圍輪廓掃描
平坦化是在使用金屬和介電材料的后段工藝中最重要的步驟,?；瘜W機械拋光（CMP）后的局部和全局均勻性對芯片制造的產量有很大的影響。精確的CMP輪廓掃描是優(yōu)化工藝條件,、獲得最佳平坦度以及提高生產率的關鍵計量,。
C結合Park NX-Wafer的滑動平臺，為CMP計量提供了遠程輪廓分析能力,。由于Park自動化原子力顯微鏡*的平臺設計,，組合系統提供非常平坦的輪廓掃描，并且一般在每次測量之后不需要復雜的背景去除或前處理,。Park NX-Wafer實現了CMP測量,，包括凹陷、侵蝕和邊緣過度侵蝕（EOE）的局部和全局的平坦度測量,。
亞埃級表面粗糙度控制
半導體供應商正在開發(fā)超平坦晶圓,，以解決不斷縮小元件尺寸的需求。然而,，從來沒有一個計量工具能夠給這些擁有亞埃級粗糙度的襯底表面提供準確和可靠的測量,。通過在整個晶圓區(qū)域提供低于0.5A的業(yè)界噪聲下限，并將其與真正非接觸模式相結合,，Park NX-Wafer可以對最平坦的基底和晶圓進行精確,、可重復和可再現的亞埃級粗糙度測量，并最小化針尖的變量,。即使對于掃描尺寸達到100μm×100μm的遠距離波度,，也能夠獲得非常準確和可重復的表面測量。
高吞吐量晶圓廠檢測和分析
• 自動換針
• 設備前端模塊（EFEM）用于自動晶圓傳送
• 潔凈室兼容性和遠程控制接口
• 溝槽寬度,、深度和角度測量的自動數據采集和分析
Park NX-Wafer的特征
長范圍輪廓儀
長范圍輪廓儀是原子力輪廓儀（AFP）的重要組成部分,，并且具有用于自動CMP輪廓掃描和分析的專用用戶界面。
• 200mm : 10 mm
• 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)
采用閉環(huán)雙伺服系統的100μm×100μm柔性導向XY掃描器
XY掃描儀由對稱的二維撓曲和高-力的壓電堆組成,，它們提供高度正交的運動,，同時具有最小的平面外運動，以及納米尺度上精確樣品掃描所必需的高響應性,。兩個對稱的低噪聲位置傳感器被結合在XY掃描儀的每個軸上,，以便為最大掃描范圍和樣品大小保持高水平的掃描正交性。非線性和非平面位置誤差的次級傳感器校正和補償是由單個傳感器引起的,。
擁有低噪聲位置傳感器的15μm高速Z掃描器
NX-Wafer通過利用其超低噪聲Z探測器代替通常使用的非線性Z電壓信號,，為用戶提供形貌高度得到的測量精度,。低噪聲Z探測器取代應用Z電壓作為形貌信號。由高-力壓電堆驅動并由撓性結構引導,，標準Z掃描器具有高的諧振頻率,，能夠進行更精確的反饋。最大Z掃描范圍可由15μm擴展到40μm,，采用可選的長距離Z掃描儀,。

自動測量控制，使您可以獲得準確的掃描避免繁瑣的工作
NX-Wafer配備了自動化軟件,，使操作幾乎不費吹灰之力只要選擇所需的測量程序,，就可獲得精確的多點分析懸臂調整，掃描速率,，增益和設定點參數的優(yōu)化設置,。
Park的用戶友好的軟件界面為您提供了創(chuàng)建定制操作例程的靈活性，以便您可以全方面使用NX-Wafer以獲得所需的測量,。
創(chuàng)建新例程很容易。從零開始,，大約需要10分鐘,，或不到5分鐘修改現有的一個。
Park NX-Wafer的自動化系統特點:
• 無論是自動模式,，半自動模式還是手動模式,，都可以*控制
• 每個自動例程的可編輯測量方法
• 對測量過程進行實時監(jiān)測
• 對獲得的測量數據的自動分