鍍膜設(shè)備,耐火保溫材料,,智能化設(shè)備,,真空設(shè)備,實驗室設(shè)備,,光學(xué)設(shè)備,,機械設(shè)備,電氣設(shè)備,,儀表儀器生產(chǎn)銷售,。
應(yīng)用領(lǐng)域 | 地礦,能源,冶金,航天,綜合 |
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下拉法晶體生長爐
一·下拉法晶體生長爐設(shè)備用途:
下拉法晶體生長爐兼顧感應(yīng)區(qū)熔及晶體生長爐兩種功能,一種用于材料的熔化提純,,一種用于材料的定向凝固。
二·下拉法晶體生長爐設(shè)備特點:
1·本設(shè)備采用立式底部升降結(jié)構(gòu),,一體化設(shè)計,,結(jié)構(gòu)緊湊,裝卸料方便,,
2·真空爐體采用304全不銹鋼雙層腔室,,承壓能力強
3·采用下降法,既可以用于晶體生長,,也可用于金屬材料的區(qū)熔提純
4·真空系統(tǒng)可選配高低真空
5·控制過程全程自動化,,不用人為干預(yù),
三·下拉法晶體生長爐主要技術(shù)參數(shù)
1.加熱溫度: 1600℃
2.常用溫度:1400℃
3.功率: 15Kw±10%
3.冷態(tài)極限真空度: ≤5Pa(可升降高真空系統(tǒng))
4.坩堝尺寸: Ф30×100mm(直徑×高 )
5.測溫系統(tǒng): 紅外(700~1600)
7.加熱方式: 高頻感應(yīng)加熱
8.坩堝升降速度: 位移行程 150mm(步進電機控制)速度:1~60mm/min
9.線圈升降速度: 位移行程 150mm(步進電機控制)速度:1~60mm/min
10·爐內(nèi)充氣壓力: ≤0.03MPa
11·充氣系統(tǒng): 自動充放氣
12·控制方式:plc+觸摸屏全自動控制