涂層介電常數(shù)介損測(cè)試儀陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來(lái)源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗,。此外,，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會(huì)引起較大的損耗,。

在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中,，介質(zhì)損耗主要來(lái)源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土）,，形成玻璃相，這樣就使損耗增大,。如滑石瓷,、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大,。因面一般高頻瓷,，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相,。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺固濟(jì)體,、多品型轉(zhuǎn)變等,。

漏導(dǎo)損耗

實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場(chǎng)的作用下,，總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流,，這種微小電流稱(chēng)為漏導(dǎo)電流，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能,。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱(chēng)為“漏導(dǎo)損耗”,。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位,，因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗,。

介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),，在其內(nèi)部引起的能量損耗,。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱(chēng)介損。在交變電場(chǎng)作用下,，電介質(zhì)內(nèi)流過(guò)的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角,。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度,，一般情況下都期望耗損因子低些好 ,。

電介質(zhì)在恒定電場(chǎng)作用下，介質(zhì)損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

ω=σE2

在交變電場(chǎng)作用下,，電位移D與電場(chǎng)強(qiáng)度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量,，此時(shí)介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù)，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小,。

D,，E，J之間的相位關(guān)系圖

D,，E,，J之間的相位關(guān)系圖

如圖所示，從電路觀點(diǎn)來(lái)看,，電介質(zhì)中的電流密度為

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位,。稱(chēng)為有功電流密度，導(dǎo)致能量損耗,；Je,，相比較E超前90°，稱(chēng)為無(wú)功電流密度,。

涂層介電常數(shù)介損測(cè)試儀電介質(zhì)的用途

 電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐,，并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質(zhì)

溫度

損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè) 大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān),。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,，這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù) 大值位置。

技術(shù)參數(shù)：

1．Q值測(cè)量

a．Q值測(cè)量范圍：2～1023,。

b．Q值量程分檔：30、100,、300,、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔,。

c．標(biāo)稱(chēng)誤差

     頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

     固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%

     工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%

2．電感測(cè)量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測(cè)量：1~205

     主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

     準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF,； 150pF以上±1%

     注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)后頁(yè)使用說(shuō)明

4.  信號(hào)源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

5．Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍：5～1000。

6．B-測(cè)試儀正常工作條件

a.  環(huán)境溫度：0℃～+40℃,；

b．相對(duì)濕度：<80％,；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率：約25W,；

b．凈重：約7kg,；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

測(cè)量方法的選擇：

 GDAT-A測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種:零點(diǎn)指示法和諧振法,。

1  零點(diǎn)指示法適用于頻率不超過(guò)50  MHz時(shí)的測(cè)量,。測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法;也就是在接人試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下，調(diào)節(jié)回路的一個(gè)臂使電橋平衡,。通?；芈凡捎梦髁蛛姌颉⒆儔浩麟姌?也就是互感藕合比例臂電橋)和并聯(lián)  T型網(wǎng)絡(luò),。變壓器電橋的優(yōu)點(diǎn):采用保護(hù)電極不需任何外加附件或過(guò)多操作,，就可采用保護(hù)電極;它沒(méi)有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點(diǎn)。

2 諧振法適用于10  kHz一幾百M(fèi)Hz的頻率范圍內(nèi)的測(cè)量,。該方法為替代法測(cè)量,，常用的是變電抗法。但該方法不適合采用保護(hù)電極,。

 注:典型的電橋和電路示例見(jiàn)附錄,。附錄中所舉的例子自然是不全面的，敘述電橋和側(cè)量方法報(bào)導(dǎo)見(jiàn)有關(guān)文獻(xiàn)和該種儀器的原理說(shuō)明書(shū),。

原始包裝：

請(qǐng)保留所有的原始包裝材料,，如果機(jī)器必須回廠維修，請(qǐng)用原來(lái)的包裝材料包裝,。并請(qǐng)先與制造廠的維修中心聯(lián)絡(luò),。送修時(shí)，請(qǐng)務(wù)必將全部的附件一起送回,，請(qǐng)注明故障現(xiàn)象和原因,。另外，請(qǐng)?jiān)诎b上注明“易碎品”請(qǐng)小心搬運(yùn),。

安全注意事項(xiàng)：

開(kāi)機(jī)之前,，敬請(qǐng)仔細(xì)閱讀本  使用指南，以防止出現(xiàn)對(duì)操作人員的意外傷害或?qū)x器的損壞等的事件,。操作前,，請(qǐng)閱讀“安裝與設(shè)置”，保證對(duì)儀器各部件的正確安裝與連接,。在*次操作前,，務(wù)必請(qǐng)有操作經(jīng)驗(yàn)的人員進(jìn)行指導(dǎo)，防止誤操作造成意外事件的發(fā)生,。電擊危險(xiǎn)：  確保在安裝或維修該儀器之前使所有導(dǎo)線斷電,，防止在帶電情況下,，對(duì)人員或設(shè)備造成傷害。

注意事項(xiàng):  1,、該儀器初始的包裝材料需小心保存,，安裝需由本公司的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員進(jìn)行操作。2,、若儀器由于任何原因必須返修,，必須將其裝入原紙箱中以防運(yùn)輸途中損壞。3,、在開(kāi)機(jī)前,，操作者要首先熟悉操作方法。

影響介電性能的因素

 下面分別討論頻率,、溫度,、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。

1頻率

 因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃,、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的 ,。r和  tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料,，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率,。

 電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的.

2溫度

 損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)大值,，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān),。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)大值位置,。

3濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大,。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的.

 注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)