鄭州市fpc電容式觸摸屏等離子設(shè)備廠家：誠峰智造

 噴射型AP等離子處理系統(tǒng)CRF-APO-DP1010-D

名稱（Name） 噴射型AP等離子處理系統(tǒng)

型號(hào)（Model） CRF-APO-DP1010-D

電源（Power supply） 220V/AC,50/60Hz

功率（Power） 1000W/25KHz

處理高度（Processing height） 5-15mm

處理寬幅（Processing width） 1-6mm（Option）

內(nèi)部控制模式（Internal control mode） 數(shù)字控制

外部控制模式（External control mode） RS485/RS232數(shù)字通訊口,、

模擬量控制口 工作氣體（Gas）

Compressed Air （0.4mpa）

產(chǎn)品特點(diǎn)：可選配多種類型噴嘴，使用于不同場合,，滿足各種不同產(chǎn)品和處理環(huán)境,；

具有RS485/232數(shù)字通訊口和模擬量控制口，滿足客戶多元化需求,。

設(shè)備尺寸小巧,，方便攜帶和移動(dòng)，節(jié)省客戶使用空間,；

可In-Line式安裝于客戶設(shè)備產(chǎn)線中,，減少客戶投入成本；

使用壽命長,，保養(yǎng)維修成本低,，便于客戶成本控制；

應(yīng)用范圍：主要應(yīng)用于電子行業(yè)的手機(jī)殼印刷,、涂覆、點(diǎn)膠等前處理,，手機(jī)屏幕的表面處理,；工業(yè)的航空航天電連接器表面清洗；通用行業(yè)的絲網(wǎng)印刷,、轉(zhuǎn)移印刷前處理等,。

鄭州市fpc電容式觸摸屏等離子設(shè)備廠家

 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，對(duì)技術(shù)的要求越來越高,，特別是半導(dǎo)體圓片的表面質(zhì)量要求越來越嚴(yán)格,，主要原因是圓片表面的粒子和金屬雜質(zhì)污染嚴(yán)重影響設(shè)備的質(zhì)量和成品率，在現(xiàn)在的集成電路生產(chǎn)中,，圓片表面污染問題,，還有50%以上的材料損失。
在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中,，幾乎每個(gè)過程都需要清洗,，圓片清洗質(zhì)量對(duì)設(shè)備性能有嚴(yán)重影響。正因?yàn)閳A片清洗是半導(dǎo)體制造技術(shù)中重要,、頻繁的步驟,，其技術(shù)質(zhì)量直接影響設(shè)備的成品率、性能和可靠性,，國內(nèi)外各大公司,、研究機(jī)構(gòu)等對(duì)清洗技術(shù)的研究不斷進(jìn)行,。等離子清洗作為一種*的干式清洗技術(shù)，具有綠色環(huán)保等特點(diǎn),，隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展,，等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用也越來越多。
半導(dǎo)體污染雜質(zhì)及分類,。
半導(dǎo)體制造需要一些有機(jī)物和無機(jī)物參與完成,。此外，由于工藝總是由人們參與凈化室,，半導(dǎo)體圓片不可避免地會(huì)被各種雜質(zhì)污染,。根據(jù)污染物的來源、性質(zhì)等,，大致可分為粒子,、有機(jī)物、金屬離子和氧化物4種,。
顆粒,。
粒子主要是聚合物、光刻膠,、蝕刻雜質(zhì)等,。這種污染物通常主要依靠范德瓦爾斯的吸引力吸附在圓片表面，影響設(shè)備雕刻工序幾何圖形的形成和電學(xué)參數(shù),。這種污染物的去除方法主要用物理或化學(xué)方法切割粒子,，逐漸減少與圓表面的接觸面積，終去除,。
有機(jī)物,。
有機(jī)物雜質(zhì)的來源比較廣泛，如人的皮膚油脂,、細(xì)菌,、機(jī)械油、真空油,、光刻膠,、清洗溶劑等。這種污染物通常在圓形表面形成有機(jī)物薄膜,，阻止清洗液到達(dá)圓形表面,，圓形表面清洗不*，清洗后金屬雜質(zhì)等污染物仍*保留在圓形表面,。這種污染物的清除通常在清洗過程的進(jìn)行,，主要用硫酸和過氧化氫水等方法進(jìn)行。
金屬,。
半導(dǎo)體技術(shù)中常見的金屬雜質(zhì)有鐵,、銅,、鋁、鉻,、鎢,、鈦、鈉,、鉀,、鋰等，這些雜質(zhì)的來源主要有各種器皿,、配管,、化學(xué)試劑、半導(dǎo)體圓片加工中,，在形成金屬連接的同時(shí),，也產(chǎn)生了各種金屬污染。這種雜質(zhì)的去除通常采用化學(xué)方法,，通過各種試劑和化學(xué)藥品制成的清洗液和金屬離子反應(yīng),，形成金屬離子的結(jié)合物，脫離圓片表面,。
氧化物,。
半導(dǎo)體圓片在含氧和水的環(huán)境下表面形成自然氧化層。該氧化膜不僅妨礙了半導(dǎo)體制造的許多步驟,，還包括金屬雜質(zhì),，在一定條件下轉(zhuǎn)移到圓片中形成電氣缺陷。
等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體晶圓清洗技術(shù)中的應(yīng)用等離子清洗技術(shù)簡單,，操作方便,，無廢棄物處理和環(huán)境污染等問題,。但是,，它不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物。等離子體清洗常用于光刻膠的去除技術(shù),，在等離子體反應(yīng)系統(tǒng)中加入少量氧氣,，在強(qiáng)電場的作用下，使氧氣產(chǎn)生等離子體,，使光刻膠迅速氧化成揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質(zhì),。該清洗技術(shù)具有去膠技術(shù)操作方便、效率高,、表面清潔,、無損傷、有利于確保產(chǎn)品質(zhì)量等優(yōu)點(diǎn),，不使用酸,、堿,、有機(jī)溶劑等，越來越受到重視,。