直讀光譜儀采用CMOS檢測(cè)器全譜測(cè)試技術(shù),可測(cè)試覆蓋波長(zhǎng)范圍內(nèi)的所有譜線,，配置和補(bǔ)充測(cè)試基體、通道,、分析程序極為方便,。儀器體積小巧，方便維護(hù)和實(shí)驗(yàn)室放置,。OES8000s是全面測(cè)試鋼鐵和有色金屬材料元素的通用型儀器,，可以滿足包括：Fe基體、Cu基體,、Al基體,、Ti基體、Pb基體,、

Mg基體,、Co基體等基體要求，是金屬元素分析的擇,。

全譜分析技術(shù),，方便配置更多基體和元素,，方便在用戶現(xiàn)場(chǎng)補(bǔ)充配置

儀器體積小巧，對(duì)實(shí)驗(yàn)室空間要求低

全天候工作,，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性

樣品測(cè)試速度快,，單次測(cè)試過(guò)程少于40秒

儀器使用和維護(hù)簡(jiǎn)單、方便,，對(duì)人員要求低

原廠安裝分析程序,，測(cè)試數(shù)據(jù)，適用合牌號(hào)齊全

配置標(biāo)準(zhǔn)化樣品可對(duì)儀器進(jìn)行周期性校正

不使用化學(xué)試劑,，測(cè)試過(guò)程安全,、環(huán)保

直讀光譜儀工作條件

工作溫度：15-30℃ 

相對(duì)濕度：≤70%

電    源：220±5V，單相50Hz,，接地電阻＜1Ω

實(shí)驗(yàn)室無(wú)震動(dòng),、粉塵,、強(qiáng)電磁干擾,、強(qiáng)氣流、腐蝕性氣體

技術(shù)性能及指標(biāo)

1.   分光室設(shè)計(jì)

  帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

  波長(zhǎng)范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  特殊材質(zhì)鑄造,，保證光室形變小

  間歇式真空系統(tǒng),，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5%

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級(jí)光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測(cè)器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時(shí)間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發(fā)光源

  全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

  高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發(fā)臺(tái)

  3mm樣品臺(tái)分析間隙

  噴射電極技術(shù)

  特殊設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng),，保證低氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長(zhǎng)900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率1500W

  待機(jī)功率70W