GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能）

關(guān)鍵詞：四探針,，電阻,，方阻

GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能,，該系統(tǒng)可以*實現(xiàn)在高溫,、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料,、晶片）電阻率和外延層,、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。

二,、符合：

1,、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、

2,、符合GB/T 1552-1995《硅,、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

3、符合美國 A.S.T.M 標準

二,、產(chǎn)品應用：

1,、測試硅類半導體、金屬,、導電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻,；

2,、可測柔性材料導電薄膜電阻率/方阻

3,、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）電阻率/方阻

4,、納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻

5,、電阻器體電阻、金屬導體的低,、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進行測量

6,、可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻

三、主要技術(shù)參數(shù)

溫度范圍：RT-1000℃
升溫斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控溫精度：±0.1℃
電阻測量范圍：0.1mΩ~1MΩ
電阻率測量范圍：100nΩ..cm~100KΩ .cm
測量環(huán)境：惰性氣氛,、還原氣氛,、真空氣氛
測量方法：四線電阻法,，探針法
測試通道：單通道或是雙通道
樣品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
電極材料：鉑銥合金電極（耐高溫，抗氧化）
絕緣材料：99氧化鋁陶瓷
數(shù)據(jù)存儲格式：自動分析數(shù)據(jù),，可以分類保存,，樣品和測量方案結(jié)合在一起，生成系統(tǒng)所需的實驗方案,，輸出TXT,、XLS、BMP等格式文件

數(shù)據(jù)傳輸：USB
符合標準：ASTM
供電：220V±10%,，50Hz
工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃,；

工作濕度：+40 ℃ 時，相對濕度高達 95%（無冷凝）
設(shè)備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm
重量：22kg