葉綠素?zé)晒獬上駜xSYE-YH02技術(shù)資料
電源要求：電壓 220V
照明系統(tǒng)：光源 藍(lán)色 Led 470nm
          光照強(qiáng)度 >6000 μmol/ m-2/s-1小飽和脈
沖， 2000 大連續(xù)活化光
穩(wěn)定性：  整個光強(qiáng)范圍+/-2%   
均一性 ： 5% 150mm x 150mm樣品平臺面積
成像區(qū)域：小 150 cm2 (23in2)
硬件指標(biāo)：
主機(jī)  光面板-管形桁架   拋光  亮光黑瓷漆   通風(fēng)裝置  交流風(fēng)機(jī)
標(biāo)準(zhǔn)樣品平臺150mm x 150mm 鋁板     外形規(guī)格 高600mm  寬 480mm  深度 420mm
內(nèi)部體積 0.120 m3 (3ft3)      超過樣品平臺高度 150mm     凈重 21Kg 
葉綠素?zé)晒獬上駜xSYE-YH02環(huán)境指標(biāo)
操作溫度  0℃-40℃ （32o – 100oF）     存貯溫度 -40 ℃ -70℃ （ -100o-160oF）
操作濕度 5%-95% 非凝結(jié)
小初始熒光,，又稱基底熒光或暗熒光,。指經(jīng)過充分暗適應(yīng)的光合機(jī)構(gòu)光系統(tǒng)II（PSII）反應(yīng)中心全部開放時的葉綠素（Chl）熒光發(fā)射強(qiáng)度。
 大熒光,。指經(jīng)過充分暗適應(yīng)的光合機(jī)構(gòu)PSII反應(yīng)中心*關(guān)閉時的Chl熒光發(fā)射強(qiáng)度,。
光下小熒光。指經(jīng)過充分光適應(yīng)的光合機(jī)構(gòu)光系統(tǒng)II（PSII）反應(yīng)中心全部開放時的葉綠素（Chl）熒光發(fā)射強(qiáng)度,。Fo’計算公式為 Fo’=Fo/（Fv／Fm+ Fo／Fm’）
  光下大熒光,。指經(jīng)過充分光適應(yīng)的光合機(jī)構(gòu)PSII反應(yīng)中心*關(guān)閉時的Chl熒光發(fā)射強(qiáng)度。
 穩(wěn)態(tài)熒光（即Fs）
PSII反應(yīng)中心潛在的激發(fā)能捕獲效率,。
光下開放的PSII反應(yīng)中心的激發(fā)能捕獲效率,。
作用光存在時PSII實際的光化學(xué)量子效率，即PSII反應(yīng)中心電荷分離實際量子效率,，反映了被用于光化學(xué)途徑激發(fā)能占進(jìn)入PSII總激發(fā)能的比例,，植物光合能力的一個重要指標(biāo)。
非光化學(xué)淬滅系數(shù),。反映了植物熱耗散的能力的變化,。
 非光化學(xué)淬滅系數(shù)
光化學(xué)淬滅系數(shù)。反映了PSII反應(yīng)中心中開放 程 度,，1 – qP則反映了反應(yīng)中心關(guān)閉程度，反映了QA的還原程度。
電子傳遞速率（可自己計算）,。ETR = PPFD × OE(Fq’/ Fm’)× 0.84 ×0.5