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原子層沉積鍍膜系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2025/2/27 12:05:19
  • 訪問次數(shù) 4620
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原子層沉積系統(tǒng)

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科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國外高科技儀器廠家在中國地區(qū)的代理,??祁9疽回灡小赫\信』、『品質(zhì)』,、『服務(wù)』,、『創(chuàng)新』的企業(yè)文化,為廣大中國用戶提供儀器,、設(shè)備,,周到的技術(shù)、服務(wù)和*的整體解決方案,。在科技日新月異,、國力飛速發(fā)展的中國,納米科學(xué)研究,、薄膜材料(包括半導(dǎo)體)生長和表征,、表面材料物性分析、生物藥物開發(fā),、有機(jī)高分子合成等等領(lǐng)域,,都需要與歐美發(fā)達(dá)國家*接軌的儀器設(shè)備平臺來實(shí)現(xiàn)??祁TO(shè)備有限公司有幸成長在這個(gè)火熱的年代,,我們愿意化為一座橋梁,,見證中國科技水平的提升,與中國科技共同飛速成長,。
      科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設(shè)在中國香港,,在中國上海設(shè)立了分公司,在國內(nèi)多個(gè)城市設(shè)立了辦事處或維修站,,旨在為客戶提供*的產(chǎn)品和服務(wù),。2010年,科睿設(shè)備有限公司在上海設(shè)立備品倉庫及維修中心,,同時(shí)提供在大陸的各項(xiàng)技術(shù)服務(wù)和后期的維修保障服務(wù),,我們擁有專業(yè)的應(yīng)用維修人員,并且都曾到國外廠家進(jìn)行了專門的培訓(xùn),。上海配備了多種維修部件,,能使我們的服務(wù)更加快捷和方便。我們承諾24小時(shí)電話響應(yīng),,72小時(shí)內(nèi)趕到現(xiàn)場維修,。以利于更好、更快的為中國大陸服務(wù),!
      因?yàn)樾湃?所以理解.我們理解用戶的困難和需求,。我們已經(jīng)為國內(nèi)眾多科研院所和大學(xué)根據(jù)用戶的要求配制和提供了上百套系統(tǒng),主要用戶包括:中科院物理所,,中科院半導(dǎo)體所,,中科院大連化學(xué)物理研究所,國家納米中心,,上海納米中心,,北京大學(xué),清華大學(xué),,中國科技大學(xué),,南京大學(xué),復(fù)旦大學(xué),,上海交通大學(xué),,華東理工大學(xué),浙江大學(xué),,中山大學(xué),,西安交通大學(xué),四川大學(xué),,中國工程物理研究院,,香港大學(xué),香港城市大學(xué),,香港中文大學(xué),,香港科技大學(xué)等,。



光刻機(jī),鍍膜機(jī),,磁控濺射鍍膜儀,,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測量),,氣溶膠設(shè)備,,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),,原子層沉積系統(tǒng)(ALD),,快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,,稀釋器,,濾料測試系統(tǒng)

應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合

原子層沉積鍍膜系統(tǒng)

原子層沉積鍍膜系統(tǒng)(Atomic Layer Deposition System,ALD)

產(chǎn)地:美國


主要產(chǎn)品系列:

1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積),;

2.PEALD (等離子增強(qiáng)原子層沉積),;

3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積);


儀器簡介:

原子層沉積(Atomic Layer Deposition,,ALD),,也稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),,或原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,,ALCVD)。

原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源,,化學(xué)吸附至表面飽和時(shí)自動終止,,適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附,。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟:脈沖A,,清洗A,脈沖B和清洗B,。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度,,是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。

ALD的優(yōu)點(diǎn)包括:

1.  可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)精確控制薄膜的厚度,,從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜,;

2.  由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜,;

3.  可生成*的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜,,作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層;

4.  可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物,;

5.  薄膜生長可在低溫下進(jìn)行(室溫到400度以下),;

6.  可廣泛適用于各種形狀的襯底,;

7.  原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體,、電容器電介質(zhì)和MEMS器件,,生長的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢壘。


技術(shù)參數(shù):

基片尺寸:6英寸,、8英寸,、12英寸;

加熱溫度:25℃—400℃(可選配更高),;

均勻性: < 2%,;

前驅(qū)體數(shù):4路(可選配6路);

兼容性: 可兼容100級超凈室,;

尺寸:950mm x 700mm,;

ALD及PE-ALD技術(shù);


原子層沉積ALD的應(yīng)用包括:

1)     High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3),;

2)     導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN),;

3)     金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);

4)     催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5),;

5)     納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material),;

6)     生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);

7)     ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni),;

8)     壓電層 (ZnO, AlN, ZnS),;

9)     透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);

10)    紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);

11)    OLED鈍化層 (Al2O3);

12)    光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

13)    防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);

14)    電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

15)    工藝層如蝕刻柵欄,、離子擴(kuò)散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);

16)    光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池,、激光器、光學(xué)涂層,、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);

17)    傳感器 (SnO2, Ta2O5);

18)    磨損潤滑劑,、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2);


目前可以沉積的材料包括:

1)   氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

2)   氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...

3)   氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

4)   金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...

5)   碳化物: TiC, NbC, TaC, ...

6)   復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...

7)   硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...





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