硅晶圓片（通用耗材）

隨著半導(dǎo)體,、微電子行業(yè)的發(fā)展,，硅晶圓片（通用耗材）的用途越來越廣泛。比如半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域,、X射線晶體分析,、磁控濺射樣品生長、原子力,、紅外光譜測試分析,、PVD/CVD鍍膜襯底等。我們提供各種不同直徑,、厚度,、電阻、級別和應(yīng)用場景的硅片,，請將您的參數(shù)要求發(fā)給我們,，如有疑難，也請,。

哪里可以快速買到硅片作為基片,，當(dāng)然是這里！我們主要為國內(nèi)的科研院所,、高校提供高品質(zhì)的硅片襯底,，高純拋光的硅基底也能夠提供。

選型指導(dǎo)：

產(chǎn)品舉例：

我們致力于為客戶提供全面的硅片（Silicon Wafer）解決方案,，從測試級硅片（Test Wafer）到產(chǎn)品級硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）,、氮化硅片(Si3N4),、鍍鋁硅片、鍍銅硅片,、SOI Wafer,、MEMS Glass、定制超厚,、超平硅片等,，尺寸覆蓋50mm-300mm。

對于2D材料的研究,，軟光刻硅片,，直接放射性核電實驗,，等離子體刻蝕硅片，以及微流控芯片平臺的建立,，我們均有成功的經(jīng)驗,。

小常識：

將某一特定晶向的硅種子(種子,通常為一小的晶棒)棒插入熔融液態(tài)硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和種子相同晶向的晶柱就被生產(chǎn)出來。將晶柱切割成多個一定厚度的圓片片,通常稱呼的wafer就被制造出來了,。初步切割出來的wafer表面,，通常比較粗糙,無法用作晶圓生產(chǎn)，因而通常都在后續(xù)工藝中進(jìn)行拋光,，拋光片的名詞就由此而來,。針對不同晶圓制造要求，通常需要向粗制晶圓內(nèi)摻雜一些雜質(zhì),，如P,、B等，以改變其電阻值,因而就有了低阻,、高阻,、重?fù)降让~。鍍膜片可以理解為外延片Epi,，是針對特定要求的半導(dǎo)體裝置而制定的wafer,通常是在IC和特殊IC上使用,，如絕緣體上Si(SOI)等。

用Czochralski(CZ)晶體生長法或浮區(qū)（floatzone）（FZ）生長法生成單晶硅,。超大規(guī)模集成電路應(yīng)用更多采用Czochmlski硅,，因為它比FZ材料有更多的耐熱應(yīng)力能力，而且它能提供一種內(nèi)部吸雜的機(jī)械裝置,，該裝置能從硅片表面上的器件結(jié)構(gòu)中去除不需要的雜質(zhì),。因為是在不與任何容器或坩堝接觸的情況下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的純度（從而有更高的電阻率）,。器件和電路所需的高純起始材料（如高壓,，高功率器件）一般都用FZ硅。

我們的低應(yīng)力PECVD氮化是一個單面膜,，已優(yōu)化為晶圓需要小的熱處理,。因為低應(yīng)力PECVD氮化物是在低溫下沉積的，它提供了更大的靈活性,，可以沉積在任何其他薄膜上,。

我們提供獨立式超薄超平硅片，厚度從5µm到100µm不等,，直徑從5毫米到6英寸,。薄硅片是真正的鏡面光潔度DSP，良好的表面平整度，無霧,，無空洞,，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1µm,。

我們的單晶太陽能硅片的效率高達(dá)19.5%,。什么是太陽能效率，陽光光子擊中太陽能晶片在一個特定的空間的百分比,。更高的效率意味著發(fā)電所需的比表面積更小,。因此，小型屋頂將希望使用更高的效率面板,，以彌補(bǔ)較小的表面積,。