M2M-GEKKO 實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀
- 公司名稱(chēng) 上海易啟檢測(cè)技術(shù)有限公司
- 品牌
- 型號(hào) M2M-GEKKO
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2018/6/19 23:13:10
- 訪問(wèn)次數(shù) 2400
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M2M-GEKKO 實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀
M2M-GEKKO實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀,。*的TFM技術(shù)是M2M研發(fā)的其中一項(xiàng)核心技術(shù),,它采用全矩陣捕捉法(FMC)對(duì)檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)采集,,在采用TFM算法實(shí)時(shí)對(duì)區(qū)域進(jìn)行成像,,使得超聲檢測(cè)在缺陷定量及定性上更加準(zhǔn)確。
GEKKO可采用8×8面陣探頭聚焦,。而常規(guī)相控陣探傷儀常采用線陣探頭,,通過(guò)CIVA聲場(chǎng)仿真我們可以觀察到:線陣探頭的聲場(chǎng)分布不均,,偏轉(zhuǎn)效果不如面陣探頭聲場(chǎng);且線陣探頭副瓣比面陣探頭聲場(chǎng)更大,,易出現(xiàn)雜波影響檢測(cè)效果,。
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![]() | - 探頭匹配 支持線性及二維面陣探頭 | |
- 聚焦法則 1600個(gè)相控陣法則 | ||
- 掃查組 多支持8個(gè)不同掃查組混合檢測(cè) | ||
- 操作流程 預(yù)置應(yīng)用模塊,參數(shù)配置向?qū)?,?shù)據(jù)分析,,報(bào)告生成 | ||
![]() | - 實(shí)時(shí)成像 A-掃,B-掃,,C-掃,,S-掃 | |
- 實(shí)時(shí)全聚焦成像(TFM) 三維空間實(shí)時(shí)成像 | ||
- 檢測(cè)方法 脈沖回波,,TOFD,,收發(fā)分離,深度動(dòng)態(tài)聚焦,,基于CIVA的聚焦法則運(yùn)算核心 |
實(shí)時(shí)全聚焦成像技術(shù)TFM | |
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TFM成像與傳統(tǒng)相控陣扇掃成像的對(duì)比 | |
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常規(guī)相控陣扇掃成像,,無(wú)法精確檢測(cè)缺陷尺寸,無(wú)法檢出0.2橫孔,,TFM成像可以清晰識(shí)別傾斜面前部0.2毫米小孔
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實(shí)時(shí)全聚焦成像技術(shù)TFM是M2M研發(fā)的其中一項(xiàng)核心技術(shù),。它采用全矩陣捕捉法(FMC)對(duì)檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)采集,在采用TFM算法實(shí)時(shí)對(duì)區(qū)域進(jìn)行成像,,使得超聲檢測(cè)在缺陷定量及定性上更加準(zhǔn)確 | |
64晶片同時(shí)激發(fā)在聲場(chǎng)方面的優(yōu)勢(shì) | |
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同時(shí)激發(fā)16個(gè)晶片的聲場(chǎng) | 同時(shí)激發(fā)64個(gè)晶片的聲場(chǎng) |
16個(gè)晶片遠(yuǎn)場(chǎng)效果,,且能量低,焦點(diǎn)尺寸大分辨率低
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同時(shí)激發(fā)16個(gè)晶片的聲場(chǎng) | 同時(shí)激發(fā)64個(gè)晶片的聲場(chǎng) |
通過(guò)CIVA聲場(chǎng)仿真我們可以觀察到16晶片的聲場(chǎng)分布不均,,偏轉(zhuǎn)效果不如64晶片聲場(chǎng),,且16晶片副瓣比64晶片聲場(chǎng)更大,出現(xiàn)雜波影響檢測(cè)效果,。 | |
控制二維面陣探頭的優(yōu)勢(shì) | |
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64晶片同時(shí)激發(fā)模式還可以控制一個(gè)面陣探頭(8×8),,能同時(shí)激發(fā)16個(gè)晶片的設(shè)備無(wú)法有效控制面陣探頭,使用此類(lèi)探頭能夠?qū)θS空間進(jìn)行任意方向掃查,,可以在同一探頭位置檢測(cè)到不同取向的缺陷,。 |