美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)

美國SVT公司是世界MBE供應商,，具有20年的MBE設備制造經(jīng)驗。數(shù)位核心工程師擁有25年以上的MBE經(jīng)驗,。

占據(jù)美國主要科研市場的SVT分子束外延系統(tǒng),，以其專業(yè)化的超高真空技術和薄膜生長技術搏得了廣大客戶的青睞。

SVT公司擁有獨立的應用實驗室,，可以為客戶提供完善的工藝技術服務,。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術平臺。

SVT公司建立完善的售后服務體系,。在北京,、香港、美國總部都有服務工程師,。

SVT MBE系統(tǒng)是模塊化設計，主要包括裝載室模塊,，預備或分析室模塊,，主生長室模塊?？膳?0個源,，線性移動擋板。每個模塊都有獨立的抽氣系統(tǒng),。模塊間有閘板閥相互隔離,，互不影響,。

Model 35-6 AlGaAs（或其他半導體材料）研究和生產(chǎn)型設備,，樣品尺寸可達6英寸。

可容納10個cell,。

真空度< 1×10-10Torr,。

可配普通束流源、裂解源,、RF源,、電子束蒸發(fā)源。

Model 35-N-V 標準4''襯底MBE平臺,，用于生長高質量的氮化物半導體材料,。

可容納10個cell。

真空度< 1×10-10Torr,。

設計考慮了嚴格的活性氮環(huán)境并配有高溫襯底加熱器,。

氮源的種類包括RF氮源和氨氣入射源。

26-O-V 氧化物MBE系統(tǒng)具有彈性配置,。

真空度< 1×10-10Torr,。

此多元化MBE平臺可以生長研究各種氧化物材料,。

該系統(tǒng)可以配備多坩堝電子束蒸發(fā)源以及10個熱蒸發(fā)源或等離子源等。

氧化物MBE還包括：26-O-C緊湊型氧化物MBE,、26-O-6大樣品氧化物MBE等各種型號,。

Model SM-6 SiGe系統(tǒng)用于生長高質量的Si/Ge及相關化合物。

真空度< 1×10-10Torr,。

可容納9個普通源及1個電子束蒸發(fā)源,，或6個普通源及2個電子束蒸發(fā)源。

美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)集成了電子束蒸發(fā)和熱源蒸發(fā)兩種沉積技術,，并通過傳感器反饋控制技術實現(xiàn)薄膜制備的高度再現(xiàn)性,。