多晶硅超聲波清洗機(jī)產(chǎn)品介紹   1,、機(jī)械手或多機(jī)械手組合，實現(xiàn)工位工藝要求,。

2,、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利,。

3,、自動上下料臺，準(zhǔn)確上卸工件,。

4,、凈化烘干槽，*的烘干前處理技術(shù),，工作干燥無水漬,。

5、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng),，確保良好工作環(huán)境,。

6,、具備拋動清洗功能，保證清洗均勻,。

多晶硅超聲波清洗機(jī)技術(shù)參數(shù) 超聲波功率：10.2KW 超聲波頻率：40K/80KHZ 換能器數(shù)量：200個 電源電壓：三相五線380V應(yīng)用范圍 多晶硅超聲波清洗加工設(shè)備,，可廣泛用于IC生產(chǎn)及半導(dǎo)體元器 件生產(chǎn)中晶片的濕法化學(xué)工藝。該設(shè)備可有效去除晶片表面的 有機(jī)物,、顆粒,、金屬雜質(zhì),、自然氧化層及石英,、塑料等附件器 皿的污染物，且不破壞晶片表面特性,。 爐前（RCA）清洗：擴(kuò)散前清洗 光刻后清洗：除去光刻膠,。 氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。 拋光后自動清洗：除去切,、磨,、拋的沾污。 外延前清洗：除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物,。 合 金前,、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質(zhì)及光膠殘渣,。離子注入后的清洗：除去光刻膠,，SiO2層。擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時的BSG和PSG,。CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒,。附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。