系統(tǒng)介紹：

GMPS-RIE反應離子刻蝕機,、GMPS-PEVCD等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng):,、GMPS-PVD物理氣相沉積系統(tǒng)、GMPS-HDP高密度等離子系統(tǒng),、GMPS-200LL裝載互鎖等離子系統(tǒng),、GMPS-17等離子蝕刻系統(tǒng)、GMPS-17-MC多功能等離子系統(tǒng),、GMPS-PL多腔體等離子系統(tǒng)

PLASMA等離子• ETCH蝕刻 • PVD物理氣相沉積 • PECVD  等離子增強化學氣相沉積• HDP高密度等離子 • CLUSTER多艙體設備

GMPS模塊化等離子系統(tǒng)具有如下特點：

• 滿意任何等離子應用的硬件配置

• 具有zui廣泛的適配等離子工藝

• 業(yè)內(nèi)認可的等離子系統(tǒng)設計方案,，可批量處理基片

• 可選擇40多款模塊化部件

• 等離子系統(tǒng)采用高品質(zhì)、可靠性高的主要部件,；

• 方便維護及修理

GMPS模塊化等離子基礎系統(tǒng)
無論客戶的需要是反應離子刻蝕（RIE）, 物理氣相沉積（PVD）, 化學氣相沉積（CVD）, 等離子蝕刻（Plasma Etch）, 高密度等離子（HDP）或是任何的混合應用,。基礎系統(tǒng)的設計可容納任何的等離子工藝模塊,，以便滿足特定的需要,。系統(tǒng)基礎單元包括一個多功能的處理艙、高導電真空系統(tǒng)配備自動下游壓力控制,。系統(tǒng)單元標配溫度補償電容式真空計及質(zhì)量流量計,。為方便維護、該系統(tǒng)單元裝配在一個多功能的機柜內(nèi),，配備拉啟側板,，方便維護ISO/KF真空管件。標準的48厘米支架用于簡化等離子系統(tǒng)的電子系統(tǒng)的安裝,。不銹鋼材質(zhì)的工藝處理艙的三項模塊化設計可方便定制,。配套接口可使用戶添加不同部件的靈活性。

GMPS系列模塊化等離子系統(tǒng)升級UPGRADES

GMPS系列模塊化等離子系統(tǒng)的模塊化設計理念可容納為了系統(tǒng)的擴展應用,。標準及OEM部件在系統(tǒng)中普通使用,，允許在需要時擴展更多模塊化部件。

GMPS系列模塊化等離子系統(tǒng)有如下型號及系列可供選擇：

GMPS-RIE反應離子刻蝕機：

Ø 目前市面上用于R&D或是小批量生產(chǎn)的*等離子系統(tǒng);

Ø 可對如下材料進行蝕刻：二氧化硅SiO2, 氮化硅SiNx, TiW, 砷化鎵GaAs, resist, ILD, 聚酰亞胺polyimide, micromachining （MEMS）, photonics, HTSC's及失效分析;

Ø 可容納從大小的任何尺寸基片,，晶圓片,，平板或定制封裝。

Ø 方便使用,、維護簡單,。

Ø 安全,、堅固設計包裝可靠性高及可觀的正常運行時間。

Ø 真空處理艙結構有五塊簡單的部件制造而成,，具有多功能,、方便升級的特點。

Ø 多用途等離子工藝包,，不受工藝記憶影響,。

GMPS-PEVCD等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng):

Ø 高性能低價位等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)；

Ø 可沉積鍍膜如下薄膜：SiO2, SiNx, Amorphous Si, Oxynitride 及 carbon films,；

Ø 低溫鈍化,、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物；

Ø 可配置成為PEVCD等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)或是電子回旋共振（ECR）沉積系統(tǒng),；

Ø 安全聯(lián)鎖裝置符合嚴格的安全要求,；

Ø 采用殘余剝離冷凍泵，保證了低氫含量薄膜,； 

Ø 科技,，混合等離子電源配置及脈沖射頻選配用于應力控制；

Ø 閉環(huán)（PID）沉積鍍膜溫度控制,； 

Ø *的“直連”系統(tǒng)制造技術,，方便日后系統(tǒng)設備的維護及升級； 

GMPS-PVD物理氣相沉積系統(tǒng)

Ø 高性能低價位物理氣相沉積系統(tǒng),；

Ø Al, Au, AlSi, Cu, AlCuSi 薄膜金屬化,；

Ø SiO2, SiNx, TaN, TiNx 薄膜；

Ø 低溫鈍化,、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物,；

Ø 可配置成單靶或多靶沉積系統(tǒng)工具；

Ø 可選配直流或射頻電源濺射,；

Ø 安全聯(lián)鎖裝置符合嚴格的安全要求,；

Ø 采用殘余剝離冷凍泵，保證了低氫含量薄膜,； 

Ø *的“直連”系統(tǒng)制造技術,，方便日后系統(tǒng)設備的維護及升級；

GMPS-HDP高密度等離子系統(tǒng)：

高密度等離子系統(tǒng)設備提供產(chǎn)生具有活性非常高的等離子體,，且對基片/晶圓片爆射較低的特性。較高的等離子蝕刻（或等離子沉積）速率及較低的溫度工藝處理溫度僅僅是高密度等離子體（HDP）的兩點優(yōu)勢,。GMPS-HDP高密度等離子系統(tǒng)采用基本的反應離子刻蝕（RIE）（或等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)PEVCD）平臺建造,，采用獲得、可靠性高,、  磁耦合等離子體（MCP）電源產(chǎn)生高離子通量,。鑒于*的磁耦線圈設計及低頻率,，磁耦合等離子體（MCP）電源比電子回旋共振（ECR）沉積系統(tǒng)具有更高的可靠性。通常GMPS-HDP高密度等離子系統(tǒng)用于蝕刻,，也可用于沉積,。

Ø SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD and polyimide, micromachining （MEMS）, photonics, HTSC's, 及失效分析;

Ø 可容納從1~12英寸大小的任何尺寸基片，晶圓片,，平板或定制封裝,；

Ø 濺射靶聚焦電磁，具有良好的過程過程均勻性,；

Ø 方便使用,、維護簡單；

Ø 安全,、堅固設計包裝可靠性高及可觀的正常運行時間,；

Ø 真空處理艙結構有六塊簡單的部件制造而成，具有多功能,、方便升級的特點,；

GMPS-200LL裝載互鎖等離子系統(tǒng)技術規(guī)格：

無論等離子工藝處理的要求是敏感的蝕刻工藝或是臨界鈍化沉積，GMPS-200LL裝載互鎖等離子系統(tǒng)提供zui安全的新環(huán)境處理所有的苛刻的等離子干法處理工藝,。我們*的傳送機械手提供無憂交替運輸系統(tǒng),。僅需裝載基片/晶圓片，按下運行鍵,，基片/晶圓片即可被自動化處理,，具有*的可靠性和正常運行時間。

Ø 可選配等離子刻蝕（Plasma etch）, 反應離子刻蝕（RIE）, 等離子增強化學氣相沉積（PECVD）, 及電子回旋共振（ECR） 電源 ,；

Ø 特別適用于腐蝕性及危險化學工藝處理,；

Ø 安全減少微粒子污染；

Ø 可蝕刻金屬,、poly, Si trench, refractory silicides, III-V features, GaAs backside vias, 或沉積 ILD's,；

Ø 可處理任何尺寸、形狀的基片,，zui大可達300mm;

Ø 消除水蒸氣及其它污染物,；

Ø *的基片/晶圓片裝載機械手-可靠性高、操作簡便且具有自動對對準功能,；

Ø 快速抽真空,。提高等離子處理產(chǎn)量。

GMPS-17等離子蝕刻系統(tǒng)：

該等離子蝕刻系統(tǒng)是一款基礎型的等離子蝕刻系統(tǒng)功能工具,，可以配置咋等離子蝕刻或反應離子蝕刻模式下運行,。是一款性能杰出的實驗室設備，也可用于小批量生產(chǎn)領域,。

Ø 可供給電源給上電極或下電極,；

Ø 可蝕刻SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD,、polyimide, micromachining （MEMS）, photonics及 HTSC's 

Ø 可容納從1~12英寸大小的任何尺寸基片，晶圓片,，平板或定制封裝,；

Ø 方便使用、維護簡單,；

Ø 真空處理艙結構有五塊簡單的部件制造而成,，具有多功能、方便升級的特點,。

Ø 多用途等離子工藝包,，不受工藝記憶影響。

 GMPS-17-MC多功能等離子系統(tǒng)：

Ø 特別為研發(fā)實驗室的需要設計制造,；

Ø 多真空處理腔體,，滿足不同處理工藝或化學需要；

Ø 可配置用于反應離子蝕刻RIE,、 電子回旋共振（ECR） ECR 或等離子增強化學氣相沉積PECVD 應用需要,；

Ø 可定制用于特別工藝處理需要；

Ø 提供廣泛的控制及監(jiān)控分析配置,；

Ø 真空泵浦及電源公用,，可減少投入；

Ø 廣泛用于世界范上的大學及公司的研發(fā)實驗室,；

GMPS-PL多腔體等離子系統(tǒng)技術規(guī)格

多功能的多腔體等離子系統(tǒng)設備用于*zui苛刻的等離子工藝處理

GMPS-PL多腔體等離子系統(tǒng)是一款革命性的的GMPS模塊化等離子處理系統(tǒng),。鑒于眾多的GMPS用戶已經(jīng)從研發(fā)階段步入生產(chǎn)領域，用戶需要一款等離子處理產(chǎn)量更高的系統(tǒng)工具,，我們選裝200 或 300mm轉(zhuǎn)移平臺作為該多腔體等離子系統(tǒng)的核心部件,。根據(jù)等離子工藝處理需要，該平臺運行選擇多大三款標準模塊化部件,。在合理的費用預算前提下,，GMPS-PL多腔體等離子系統(tǒng)提供了一款定制的多腔體處理設備。

Ø 多真空處理腔體,，滿足不同處理工藝或化學需要,；

Ø 可配置用于反應離子蝕刻RIE、 電子回旋共振（ECR） ECR 或等離子增強化學氣相沉積PECVD 應用需要,；

Ø 在不破壞真空艙內(nèi)真空的情況下,，提供多層工藝處理需要；

Ø 蝕刻金屬, poly, Si trench, refractory silicides, SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD and polyimide, III-V features, GaAs backside vias, micromachining （MEMS）, photonics, or HTSC's 

Ø 可沉積 SiO2, SiNx, Amorphous Si, Oxynitride 及 carbon films, 或低溫鈍化,、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物

Ø 可選配300mm料盒裝載平臺,；

Ø 特別適用于腐蝕性及危險化學工藝處理；

Ø 消除水蒸氣及其它污染物,；

Ø 可處理任何尺寸或形狀的基片/晶圓片zui大可達300mm,，包括平板或是定制封裝；

Ø 方便使用,、維護簡單,；

Ø 安全、堅固設計包裝可靠性高及可觀的正常運行時間,；

如果您對GMPS系列等離子系統(tǒng)感興趣,，請索取更詳盡資料！
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