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Transene二氧化硅 (SiO?) 蝕刻液 光刻膠
二氧化硅 (SiO?) 蝕刻劑
用于熱生長或沉積二氧化硅薄膜的高純度緩沖 HF 蝕刻劑。Transene 二氧化硅蝕刻劑是要求最小化鉆蝕和廣泛兼容性的半導(dǎo)體應(yīng)用的理想選擇,。緩沖氧化物蝕刻劑標準發(fā)貨不含表面活性劑,。可根據(jù)要求添加非 PFAS 表面活性劑,。
熱生長二氧化硅薄膜的最高蝕刻速率,。
也適用于沉積的 SiO?。
用于磷硅玻璃 (PSG) 和硼硅玻璃 (BSG) 系統(tǒng)的緩沖浸入式蝕刻劑。蝕刻速率根據(jù) PSG 或 BSG 成分而變化,。
對沉積二氧化硅薄膜蝕刻的最佳控制,。
蝕刻硅上的沉積氧化物。
用鋁飽和,，以盡量減少對金屬基底的侵蝕,。
特性：
蝕刻速率范圍廣
高純度
即用型
與光刻膠的廣泛兼容性
氟化物 - 雙氟化物 - 氫氟酸緩沖液
改進的 HF 緩沖系統(tǒng)，具有穩(wěn)定的 HF 活性——平面鈍化器件（晶體管,、集成電路,、二極管、整流器,、SCR,、MOS、FET）半導(dǎo)體技術(shù)中使用的 SiO? 選擇性溶劑,。
優(yōu)勢
即用型
經(jīng)濟高效
HF 活性緩沖穩(wěn)定
優(yōu)異的工藝重現(xiàn)性
不會鉆蝕掩蔽氧化物
不會污染擴散硅表面
避免硅表面污染
光刻膠兼容性
文獻引用參考
Buffer HF Improved 的應(yīng)用
BUFFER HF IMPROVED 描述
BUFFER HF IMPROVED 是一種理想的緩沖制劑,，具有高緩沖指數(shù)和優(yōu)化、均勻的氧化物蝕刻速率,。BUFFER HF IMPROVED 的成分通過 HF 活性測量和電測 pH 值進行精確控制,。其質(zhì)量平衡基本上對應(yīng)于 HF + F? + 2(HF??)（雙配體單核絡(luò)合物），電荷平衡為 (H?) – (F?) + (HF??),。HF 活性通過特定的平衡常數(shù)保持恒定,，該常數(shù)調(diào)節(jié)氟化物、雙氟化物和 HF 緩沖組分之間的平衡反應(yīng),。第二個平衡常數(shù)參與調(diào)節(jié)水合氫離子濃度,。
BUFFER HF IMPROVED 的生產(chǎn)和分析確保基本不含雜質(zhì),。特別去除了硝酸根離子,，這是一種會導(dǎo)致擴散硅表面染色的常見雜質(zhì)?？赡軐?dǎo)致器件特性退化的重金屬雜質(zhì),，在制造工藝規(guī)范下得到嚴格控制。
Buffer HF Improved 的性質(zhì)
如何提高蝕刻速率,？
溫度每升高 10°C,，速率大約翻倍。
增加攪拌或攪動速率,。
如何降低蝕刻速率,？
添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中，蝕刻速率將降低約 50%,。我需要稀釋蝕刻劑嗎,？
不需要,，它是即用型的。如何減少鉆蝕,？
增加攪拌或攪動速率,。外觀：水白色
pH 值：~4
20°C 下的蝕刻速率：800 ?/分鐘 *
蝕刻容量（速率在 ~70% 時開始下降）：65 克/加侖
保質(zhì)期：1 年
儲存條件：室溫；低于 10°C 會結(jié)晶,；溫熱并攪拌使晶體重新溶解
過濾：0.2 微米
推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C ）
清洗：去離子水,；如果需要，可用酒精清洗,。
光刻膠推薦：KLT6000 系列,、KLT 5300 系列、HARE SQ（SU-8 型）,、TRANSIST 或 PKP Type II
兼容材料選擇：金、銅,、鎳
不兼容材料選擇：玻璃,、鈦、氧化鋁,、氮化硅
兼容塑料：HDPE,、PP、Teflon,、PFA,、PVC
原產(chǎn)國：美國
可用性：常備庫存
可用規(guī)格：夸脫、加侖,、5 加侖,、55 加侖
包裝：HDPE 包裝，4 加侖/箱
各向同性：是
不兼容化學品：強酸
附加信息：劇毒——需極其謹慎
蝕刻速率可能因二氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)而異
BUFFER HF IMPROVED 的使用
BUFFER HF IMPROVED 溶解硅表面生成的二氧化硅薄膜（包括熱生長 SiO2 和硅烷沉積 SiO2）并通過光刻暴露的部分,。它也能夠溶解半導(dǎo)體工藝中形成的摻雜二氧化硅薄膜,，如磷硅玻璃和硼硅玻璃?？傮w化學反應(yīng)為：
4HF + SiO? -> SiF? + 2H?O
為獲得正常操作,，BUFFER HF IMPROVED 被推薦用于制造半導(dǎo)體平面和臺面器件的新技術(shù)中。它與負性和正性光刻膠均兼容,。易于獲得具有良好重現(xiàn)性的優(yōu)異結(jié)果,，且不會鉆蝕掩蔽氧化物、造成表面染色或由金屬雜質(zhì)導(dǎo)致器件退化,。
使用說明
實用的氧化物鈍化層厚度范圍為 2000 ? 至 5000 ?,，在室溫下將 BUFFER HF IMPROVED 暴露 2 至 5 分鐘可獲得良好效果。如有必要,，可以縮短或延長暴露時間,。BUFFER HF IMPROVED 應(yīng)使用去離子水沖洗干凈,。BUFFER HF IMPROVED 的高緩沖指數(shù)允許在固定暴露時間下重復(fù)使用緩沖液。為了獲得更快的蝕刻速率（約 2 倍）,，請在 35°C 下使用 BUFFER HF IMPROVED,。
Transene二氧化硅 (SiO?) 蝕刻液 光刻膠
緩沖氧化物蝕刻劑
高純度氟化銨和氫氟酸的標準混合物，比例有標準和定制可選,。
BD Etchant (用于 PSG-SiO? 系統(tǒng))
一種改進的緩沖蝕刻配方,，用于在晶體管表面鈍化中蝕刻磷硅玻璃-SiO? (PSG) 和硼硅玻璃-SiO? (BSG) 系統(tǒng)。BD Etchant 具有較低的 PSG/SiO? 蝕刻比,，可大程度地減少 PSG 鈍化膜的鉆蝕,。
應(yīng)用： 用作浸入式蝕刻劑，從接觸孔中去除 SiO? 薄膜,，而不擾動 PSG 薄膜,。BD Etchant 用于硅晶體管晶圓的接觸孔金屬化之前，隨后進行水和酒精清洗,。
如何提高蝕刻速率,？
溫度每升高 10°C，速率大約翻倍,。
增加攪拌或攪動速率,。
如何降低蝕刻速率？
添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中,，蝕刻速率將降低約 50%,。我需要稀釋蝕刻劑嗎？
不需要,，它是即用型的,。如何減少鉆蝕？
增加攪拌或攪動速率,。外觀：水白色
pH 值：弱堿性
蝕刻速率：25°C 1.22 ?/秒,；30°C 1.72 ?/秒
蝕刻容量（速率在 ~70% 時開始下降）：60 克/加侖
保質(zhì)期：1 年
儲存條件：常溫
過濾：0.2 微米
推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C 常用）
清洗：去離子水；如果需要,，可用酒精清洗,。
兼容材料選擇：金、銅,、鎳
不兼容材料選擇：氧化硅,、氮化硅、氧化鋁
兼容塑料：HDPE,、PP,、Teflon、PFA,、PVC
原產(chǎn)國：美國
可用性：常備庫存
可用規(guī)格：夸脫,、加侖,、5 加侖、55 加侖
包裝：HDPE 包裝,，4 加侖/箱
各向同性：是
不兼容化學品：—
附加信息：—
Timetch (用于二氧化硅薄膜的受控蝕刻劑)
TIMETCH 是一種特殊配制的蝕刻劑溶液,，在二氧化硅蝕刻過程中提供優(yōu)異的控制，且無鉆蝕,。TIMETCH 與負性和正性光刻膠兼容,。
TIMETCH 用于去除二氧化硅以及控制 MOS 器件的氧化層厚度。該產(chǎn)品也推薦用于二極管和晶體管器件在金屬化之前去除表面氧化物,。
對于沉積氧化物,，室溫下去除氧化物的速率為 1.5 ?/秒。對于熱氧化物,，速率稍慢,。蝕刻過程之后用蒸餾去離子水沖洗。Timetch 與銅兼容,。
TRANSENE TIMETCH 蝕刻劑的性質(zhì)
如何提高蝕刻速率,？
溫度每升高 10°C，速率大約翻倍,。
增加攪拌或攪動速率。
如何降低蝕刻速率,？
添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中,，蝕刻速率將降低約 50%。我需要稀釋蝕刻劑嗎,？
不需要,，它是即用型的。如何減少鉆蝕,？
增加攪拌或攪動速率,。外觀：水白色
pH 值：弱堿性
25°C 下的蝕刻速率：1.5 ?/秒
蝕刻容量（速率在 ~70% 時開始下降）：60 克/加侖
保質(zhì)期：1 年
儲存條件：常溫
過濾：0.2 微米
推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C 常用）
清洗：去離子水；如果需要,，可用酒精清洗,。
兼容材料選擇：金、銅,、鎳
不兼容材料選擇：氧化硅,、氮化硅、氧化鋁
兼容塑料：HDPE,、PP,、Teflon、PFA,、PVC
原產(chǎn)國：美國
可用性：常備庫存
可用規(guī)格：夸脫,、加侖,、5 加侖、55 加侖
包裝：HDPE 包裝,，4 加侖/箱
各向同性：是
不兼容化學品：—
附加信息：—
Silox Vapox III
該蝕刻劑設(shè)計用于蝕刻硅表面上的沉積氧化物,。這些氧化物通常在 vapox silox 或其他 LPCVD 設(shè)備中生長，在許多重要方面與其熱生長氧化物截然不同,。一方面是它們的蝕刻速率,，另一方面是它們的工藝用途。沉積氧化物常被用作金屬化硅基底上的鈍化層,。Silox Vapox Etchant III 旨在優(yōu)化蝕刻用作鋁金屬化硅基底鈍化層的沉積氧化物,。該蝕刻劑已用鋁飽和，以盡量減少其對金屬化基底的侵蝕,。
沉積氧化物 (Vapox/Silox) 蝕刻速率：4000 ? / 分鐘 @ 22 °C
該產(chǎn)品包含：
氟化銨
冰醋酸
鋁腐蝕抑制劑
表面活性劑
去離子水
TRANSENE SILOX VAPOX III 的性質(zhì)
如何提高蝕刻速率,？
溫度每升高 10°C，速率大約翻倍,。
增加攪拌或攪動速率,。
如何降低蝕刻速率？
添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中,，蝕刻速率將降低約 50%,。我需要稀釋蝕刻劑嗎？
不需要,，它是即用型的,。如何減少鉆蝕？
增加攪拌或攪動速率,。外觀：透明,，無色
pH 值：酸性
22°C 下的蝕刻速率：4,000 ?/分鐘
蝕刻容量（速率在 ~70% 時開始下降）：65 克/加侖
保質(zhì)期：1 年
儲存條件：常溫
過濾：1 微米
推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C 常用）
清洗：去離子水
光刻膠推薦：KLT6000 系列、KLT 5300 系列,、HARE SQ（SU-8 型）,、TRANSIST 或 PKP II
兼容材料選擇：Au, Cr, Ni, Cu
不兼容材料選擇：氧化物、氮化物,、氧化鋁,、Ti
兼容塑料：HDPE、PP,、Teflon,、PFA、PVC
原產(chǎn)國：美國
可用性：1-2 天
可用規(guī)格：夸脫,、加侖,、5 加侖、55 加侖
包裝：HDPE 包裝,，4 加侖/箱
各向同性：是
不兼容化學品：強堿
附加信息：—
AlPAD Etch 639
I. AlPAD Etch 639 是一種氧化物蝕刻劑,，旨在最大限度地減少對鋁焊盤或其他鋁結(jié)構(gòu)以及硅表面的侵蝕,。這些氧化物通常在 vapox silox 或其他 LPCVD 設(shè)備中生長。沉積氧化物通常用作金屬化硅基底上的鈍化層,。AlPAD Etch 639 的配方包含表面活性劑,，以確保在高表面能基底上的潤濕覆蓋。
II. 沉積氧化物 (Vapox/Silox) 蝕刻速率：5000 ? / 分鐘 @ 22°C
III. 該產(chǎn)品包含：
氟化銨
冰醋酸
乙二醇
表面活性劑
去離子水
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