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探測器主要參數(shù)：
光電性能
指標(biāo)名稱 | 參數(shù) | |
響應(yīng)光譜范圍(μm)*1 | 0.95±0.05~1.7±0.05 | |
像元填充率(%) | 100 | |
量子效率（%） | ≥65 | |
峰值探測率 (?????√????/????) | ≥1×1012 | |
峰值靈敏度(A/W) | ≥0.8 | |
有效像元率(%)*2 | 100 | |
響應(yīng)不一致性(%) | <4 | |
讀出方式 | IWR、ITR,，可選 | |
讀出速率(MHz) | ≥10 | |
最高幀頻(fps) | >20k | |
增益檔位 | 8 | |
飽和電壓(V) | 1.6 | |
轉(zhuǎn)換增益(nV/e-) | 增益檔位1：1600 增益檔位2：800 增益檔位3：4000 增益檔位4：2665 | 增益檔位5：17 增益檔位6：84 增益檔位7：32 增益檔位8：160 |
*1 焦平面溫度=25℃
*2 像元響應(yīng)信號(hào)與平均值偏差小于一定范圍內(nèi)的像元百分比
機(jī)械性能
指標(biāo)名稱 | 典型值 |
長×寬×高(mm) | 28×15×6.2 |
重量(g) | ~9 |
焦平面規(guī)模 | 512×1 |
像元中心距(μm) | 25 |
像元尺寸(μm) | 25×250 |
感光面積(mm) | 12.8×0.25 |
使用環(huán)境和功耗參數(shù)
指標(biāo)名稱 | 典型值 |
工作溫度(℃) | -10~+60 |
存儲(chǔ)溫度(℃) | -20~+70 |
典型功率(W)*1 | <0.1 |
* 1 未開啟 TEC ， 環(huán)境溫度=25℃ ,， 時(shí)鐘頻率=1MHz ,， VDDD=VDDA=3.3V ， VBOP=2.4V,，VBOUT=VREF=VNDET=2.3V
機(jī)械參數(shù)
該款探測器采用陶瓷封裝形式，充常壓高純氮?dú)?，管殼材質(zhì)為氧化鋁陶瓷,，蓋板及引腳采用FeNiCoSi系合金，表面電鍍Ni/Au層,，窗口焊接方式為In系釬焊,，封蓋形式為電阻焊接。探測器外形尺寸為28mm (L)×15mm (W)×6.2mm (H) ,。外殼上有30根Φ0.45mm的針腳從背部引出,，針腳的間距為1.778mm，用于焦平面電源與指令的輸入,、焦平面探測信號(hào)和溫度傳感器的電學(xué)引出以及熱電致冷器的電源輸入,。 機(jī)械接口外觀及尺寸如下圖所示。
光學(xué)參數(shù)
光學(xué)結(jié)構(gòu) 該產(chǎn)品采用512×1元InGaAs焦平面,，其左右兩端各有2個(gè)冗余元，即整體像元數(shù)為516×1,，實(shí)際使用時(shí)推薦使用第3到514列,。像元形狀為長方形，感光尺寸為25μm×250μm,，結(jié)構(gòu)呈“一”字型排列,，像元中心距25μm，結(jié)構(gòu)如下圖所示：
探測器感光面與封裝結(jié)構(gòu)上表面的設(shè)計(jì)距離值為1.86±0.1mm,，感光面與窗口下表面設(shè)計(jì)距離值為1.16±0.1mm，感光面與安裝面/管殼底部設(shè)計(jì)距離值為4.34±0.1mm,。窗口材料為藍(lán)寶石,，厚度為0.5±0.05mm，窗口折射率1.76,，表面鍍有AR膜,，響應(yīng)波段內(nèi)透過率>95%，窗口透光區(qū)域?yàn)?16mm×3mm,。感光面中心位于探測器中心，相對(duì)位置偏移≤0.05mm,，相對(duì) 旋轉(zhuǎn)位移≤0.02mm。
響應(yīng)光譜（典型值）
更多詳細(xì)資料請(qǐng)看產(chǎn)品手冊
深圳市依邁光電有限公司
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