PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版
（PICOSUN™ ALD R-200 Standard）
名稱：原子層沉積系統(tǒng) 產(chǎn)地：芬蘭
Picosun簡介
Picosun是yi家公司，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo,，其生產(chǎn)設(shè)施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）,。PICOSUN®ALD設(shè)備專為高產(chǎn)量和高產(chǎn)量而設(shè)計，并且不斷發(fā)展以提高效率,。Picosun適應(yīng)性強其客戶包括 大的電子制造商,，小型的創(chuàng)新型挑戰(zhàn)者以及 先的大學(xué)。 Picosun的組織機構(gòu)和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求,。PICOSUN®研發(fā)工具具有du特的內(nèi)置可擴展性,，可確保將研究結(jié)果平穩(wěn)過渡到大批量工業(yè)制造中，而不會出現(xiàn)技術(shù)差距,。Picosun的熱情在于創(chuàng)新,。當(dāng)您想與設(shè)備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案，從而引 行業(yè)發(fā)展時,，Picosun是您的合作伙伴,。
Picosundu特的突破性ALD專業(yè)知識可追溯到ALD技術(shù)本身的誕生。于1974年在芬蘭發(fā)明了ALD方法,，并在工業(yè)上獲得了 ,。在高質(zhì)量ALD系統(tǒng)設(shè)計方面擁有豐富的經(jīng)驗。高度敬業(yè)的Picosun人員擁有的ALD經(jīng)驗,，并且為ALD的許多 做出了貢獻,。
PICOSUN™ R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)ji佳的均勻性,，包括 具挑戰(zhàn)性的通孔的,、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w,、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級的,，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓,、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度 小的薄膜層,。在 基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個du立的，*分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源,。PICOSUN™ R系列du特的擴展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN™ P系列ALD系統(tǒng),。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN™反應(yīng)腔室核心設(shè)計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學(xué)來說,突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中,，就會吸引到企業(yè)投資,。
PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)
PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),，例如IC組件，MEMS器件,，顯示器,，LED，激光和3D對象,，例如透鏡,，光學(xué)器件，珠寶,，硬幣和醫(yī)療植入物,。熱ALD研究工具的市場領(lǐng)dao者。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動的公司和研究機構(gòu)的shou選工具,。
敏捷的設(shè)計實現(xiàn)了 高質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及系統(tǒng)的 終靈活性,，可以滿足未來的需求和應(yīng)用。 的熱壁設(shè)計具有*du立的入口和儀器,，可實現(xiàn)無顆粒工藝,，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料,。得益于我們專有的Picoflow™技術(shù),，即使在 具挑戰(zhàn)性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實現(xiàn)出色的均勻性,。 PICOSUN®R-200 Standard系統(tǒng)配備了功能強大且易于更換的液態(tài),，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源。與手套箱,，粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成,，無論您現(xiàn)在的研究領(lǐng)域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領(lǐng)域,，都可以進行高效,，靈活的研究,，并獲得良好的結(jié)果,。
技術(shù)指標(biāo)
襯底尺寸和類型 | 50 – 200 mm /單片 |
大可沉積直徑150 mm基片，豎直放置,，10-25片/批次（根據(jù)工藝） | |
156 mm x 156 mm 太陽能硅片 | |
3D 復(fù)雜表面襯底（使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳） | |
粉末與顆粒（配備擴散增強器） | |
多孔,，通孔，高深寬比（HAR）樣品 | |
工藝溫度 | 50 – 500 °C, 可選更高溫度（真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C） |
基片傳送選件 | 氣動升降（手動裝載） |
預(yù)真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ） | |
前驅(qū)體 | 液態(tài),、固態(tài),、氣態(tài)、臭氧源 |
4根du立源管線,， 多加載6個前驅(qū)體源 | |
對蒸汽壓低的前驅(qū)體(1mbar~10mbar),，用氮氣等載氣dao入前驅(qū)體瓶內(nèi)引出 | |
重量 | 350kg |
尺寸（ W x H x D)） | 取決于選件 |
小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
選件 | PICOFLOW™擴散增強器,，集成橢偏儀，QCM,， RGA,，N2發(fā)生器，尾氣處理器,，定制設(shè)計,，手套箱集 |
成（用于惰性氣體下裝載）。 | |
驗收標(biāo)準(zhǔn) | 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝 |
應(yīng)用領(lǐng)域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù),。
材料 | 非均勻性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13% |
SiO2 (batch) | 0.77% |
TiO2 | 0.28% |
HfO2 | 0.47% |
ZnO | 0.94% |
Ta2O5 | 1.00% |
TiN | 1.10% |
CeO2 | 1.52% |
Pt | 3.41% |
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