高溫四探針測試儀現(xiàn)貨
采用四探針雙電組合測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測試探針治具與PC軟件對數(shù)據(jù)的處理和測量控制,，解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對溫度變化測量要求,，軟件實時繪制出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,，及過程數(shù)據(jù)值的報表分析.
二.適用行業(yè)：Applicable industry:
用于：企業(yè)、高等院校,、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅,、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率,、測定硅外延層,、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量,。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準,。
FT-351高溫四探針電阻率測試系統(tǒng)
FT-351 high temperature four probe resistivity test system
一.概述：
采用四探針雙電組合測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測試探針治具與PC軟件對數(shù)據(jù)的處理和測量控制，解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對溫度變化測量要求,，軟件實時繪制出溫度與電阻,，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,，及過程數(shù)據(jù)值的報表分析.
二.適用行業(yè)：
用于：企業(yè),、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷,、硅,、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率,、測定硅外延層,、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量,。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準,。
三.型號及參數(shù)
規(guī)格型號 | FT-351A | FT-351B | FT-351C |
1.方塊電阻范圍 | 10-5～2×105Ω/□ | 10-6～2×105Ω/□ | 10-4～1×107Ω/□ |
2.電阻率范圍 | 10-6～2×106Ω-cm | 10-7～2×106Ω-cm | 10-5～2×108Ω-cm |
3.測試電流范圍 | 0.1μA.μA.0μA，100µA,，1mA,，10mA，100 mA | 1A,、100mA,、10mA、1mA,、100uA,、10uA、1uA,、0.1uA | 10mA ---200pA |
4.電流精度 | ±0.1%讀數(shù) | ±0.1讀數(shù) | ±2% |
5.電阻精度 | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤10% |
PC軟件界面 | 顯示：電阻,、電阻率、方阻,、溫度,、單位換算、溫度系數(shù),、電流,、電壓,、探針形狀、探針間距,、厚度 ,、電導(dǎo)率 | ||
7.測試方式 | 雙電測量 | ||
8.四探針儀工作電源 | AC 220V±10%.50Hz <30W | ||
9.誤差 | ≤3%（標準樣片結(jié)果 | ≤15% | |
溫度(選購)
| 常溫 -400℃；600℃,；800℃,；1000℃；1200℃,；1400℃,；1600℃ | ||
氣氛保護（氣體客戶自備）) | 常用氣體如下：氦(He)、氖(Ne),、氬(Ar),、氪(Kr)、氙(Xe),、氡(Rn),，均為無色、無臭,、氣態(tài)的單原子分子 | ||
溫度精度 | 沖溫值：≤1-3℃,；控溫精度：±1°C | ||
升溫速度： e | 常溫開始400℃--800℃需要15分鐘；800℃-1200℃需要30分鐘,；1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘 | ||
高溫材料 | 采用復(fù)合陶瓷纖維材料,，具有真空成型，高溫不掉粉的特征 | ||
PC軟件 | 測試PC軟件一套,，USB通訊接口,，軟件界面同步顯示、分析,、保存和打印數(shù)據(jù),！ | ||
電極材料 | 鎢電極或鉬電極 | ||
探針間距 | 直線型探針,，探針中心間距：4mm,；樣品要求大于13mm直徑 | ||
標配外（選購）： | 電腦和打印機1套；2.標準電阻1-5個,； | ||
高溫電源： | 供電：400-1200℃ 電源220V,，功率4KW；380V;1400℃-1600℃電源380V,；功率9KW： | ||
高溫四探針測試儀現(xiàn)貨
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