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三維垂直場效應(yīng)晶體管問世 可用來生產(chǎn)高密度數(shù)據(jù)存儲器件
2022年06月16日 09:03:50
來源：化工儀器網(wǎng) 作者：羊舌木 點擊量：4456
該項器件在至少1000個周期內(nèi)都可保持穩(wěn)定,，并且研究人員還使用第一原理計算機模擬繪制了最穩(wěn)定的表面狀態(tài),。新方法或?qū)O大地改善非易失性存儲器，催生新的更小,、更環(huán)保的數(shù)據(jù)存儲器,，有助于實現(xiàn)下一代消費電子產(chǎn)品。
【化工儀器網(wǎng) 項目成果】存儲器是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件,。存儲管理要實現(xiàn)的目的是為用戶提供方便,、安全和充分大的存儲空間,。隨著近年來的發(fā)展, 存儲器的變化日新月異, 各種新型存儲器進入市場, 普及針對新型存儲器的維護方法已經(jīng)迫在眉睫,。
在存儲器的尺寸、容量和可負擔性方面,，消費類閃存驅(qū)動器已取得了巨大的進步,，但新的機器學習和大數(shù)據(jù)應(yīng)用程序正繼續(xù)推動對創(chuàng)新的需求。此外,，支持云的移動設(shè)備和未來的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點也需要節(jié)能且體積更小的內(nèi)存,。而當前的閃存技術(shù)卻需要相對較大的電流來讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。
反鐵電場效應(yīng)晶體管(FET) 可以非易失性方式存儲1和0,，這便意味著它不需要一直供電,。東京大學工業(yè)科學研究所科學家開發(fā)了一種基于鐵電和FET的概念驗證3D堆疊存儲單元，該晶體管具有原子層沉積的氧化物半導(dǎo)體通道,，其垂直設(shè)備結(jié)構(gòu)還增加了信息密度并降低了操作能源需求,。此外，他們還發(fā)現(xiàn)通過使用反鐵電體代替鐵電體,，只需要很小的凈電荷,，就能夠提高寫入的效率。
經(jīng)驗證,，該項器件在至少1000個周期內(nèi)都可保持穩(wěn)定,，并且研究人員還使用第一原理計算機模擬繪制了最穩(wěn)定的表面狀態(tài)。新方法或?qū)O大地改善非易失性存儲器,，催生新的更小,、更環(huán)保的數(shù)據(jù)存儲器，有助于實現(xiàn)下一代消費電子產(chǎn)品,。
(資料來源：科技日報)
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