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使用低溫傅立葉變換紅外光譜法 測定硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿發(fā)布
2021年03月04日 08:35:47
來源：化工儀器網(wǎng) 點(diǎn)擊量：8311
根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達(dá)2020年推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計劃(修訂)的通知》(國標(biāo)委發(fā)[2020]6號)的要求,，樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗所修訂了《硅單晶中III、V 族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法》,。目前,，標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿已經(jīng)發(fā)布，正面向社會征求意見,。
【化工儀器網(wǎng) 標(biāo)準(zhǔn)】硅單晶是IC集成電路,、半導(dǎo)體功率器件及太陽能光伏發(fā)電的基礎(chǔ)材料，硅單晶的重要電學(xué)參數(shù)導(dǎo)電類型和電阻率取決于硅單晶中III,、V族雜質(zhì)的含量,。而硅單晶是由高純度的多晶硅經(jīng)區(qū)熔或直拉的方式者拉制而成，因此多晶硅中III,、V族雜質(zhì)的含量是影響硅單晶產(chǎn)品質(zhì)量的重要技術(shù)指標(biāo),。目前多晶硅中III、V族雜質(zhì)含量的測定方法繁瑣,，已經(jīng)不能充分適應(yīng)目前半導(dǎo)體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的需要,，故而需要對GB/T24581-2009進(jìn)行修訂。
根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達(dá)2020年推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計劃(修訂)的通知》(國標(biāo)委發(fā)[2020]6號)的要求,，樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗所修訂了《硅單晶中III,、V 族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法》。目前,，標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿已經(jīng)發(fā)布,，正面向社會征求意見。
與GB/T24581-2009相比,，本次修訂的標(biāo)準(zhǔn)除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外,，主要技術(shù)變化如下：在規(guī)范性引用文件中用國家標(biāo)準(zhǔn)代替國外標(biāo)準(zhǔn)；將3.2條改為“5.2 如果沒有足量連續(xù)的白光,，補(bǔ)償?shù)氖┲骱褪苤鲗⒉划a(chǎn)生吸收,，故白光強(qiáng)度須足夠強(qiáng)以完全抵消所有施主和受主的補(bǔ)償。使用者通過逐步增加儀器白光光強(qiáng),，來確定III,、V族雜質(zhì)吸收峰的面積或高度不再受光強(qiáng)增加影響的白光強(qiáng)度”；增加6.2條“高純氮,，體積分?jǐn)?shù)≥99.999%”,；增加第6章“試劑和材料”,，章條好順延；增加7.5條“千分尺,，精度不低于0.01mm”,；將第12章與第13章合并，章條號順延等,。
閱讀標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿后可知,，本標(biāo)準(zhǔn)所使用的低溫傅立葉變換紅外光譜法原理是將硅單晶樣品冷卻至15k以下，此時自由載流子的影響可忽略不計,，其紅外光譜主要是由雜質(zhì)元素引起的一系列吸收譜帶,，用一個連續(xù)白熾燈光源照射樣品，使其光線能量大于補(bǔ)償雜質(zhì)的能帶,，再將紅外光束直接透射樣品,，采集透射光譜，該光譜扣除背景光譜后會轉(zhuǎn)化為吸收光譜,。在雜質(zhì)元素特征吸收譜帶上建立基線并計算其吸收譜帶面積,，后根據(jù)比耳定律機(jī)本文件給出的各雜質(zhì)元素的校準(zhǔn)因子計算出各雜質(zhì)元素的含量即可。
《硅單晶中III,、V 族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法》也表明了實驗需要用到低溫恒溫箱,、樣品架、傅立葉變換紅外光譜儀,、千分尺,、白光光源等。
本標(biāo)準(zhǔn)修訂結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)的實際使用情況對原標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行適當(dāng)修改,，同時增加了多個實驗室的測量精密度,，提高了標(biāo)準(zhǔn)的實用性、可操作性及先進(jìn)性,，使GB/T24581更為完善,，也相信在其正式實施后能更好地滿足半導(dǎo)體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要。
更多詳情請點(diǎn)擊：《硅單晶中III,、V 族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法》征求意見稿
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