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一項(xiàng)利用光譜法測定硅片表面元素污染標(biāo)準(zhǔn)意見征集中
2020年07月20日 08:45:59
來源：化工儀器網(wǎng) 點(diǎn)擊量：5588
硅片表面元素污染的控制在半導(dǎo)體工業(yè)中非常重要,，目前通常采用全反射X射線熒光光譜法對它們進(jìn)行測定,。隨著超大規(guī)模集成電路制造的發(fā)展,，目前要求對硅片表面含量極低的元素雜質(zhì)進(jìn)行測定,，但由于表面污染問題常常導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的使用壽命有限。因此,，需要對工作標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的制備方法和測量方法進(jìn)行規(guī)定和標(biāo)準(zhǔn)化,。
【化工儀器網(wǎng) 政策標(biāo)準(zhǔn)】硅片表面元素污染的控制在半導(dǎo)體工業(yè)中非常重要,，目前通常采用全反射X射線熒光光譜法對它們進(jìn)行測定。隨著超大規(guī)模集成電路制造的發(fā)展,，目前要求對硅片表面含量極低的元素雜質(zhì)進(jìn)行測定，但由于表面污染問題常常導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的使用壽命有限,。因此,，需要對工作標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的制備方法和測量方法進(jìn)行規(guī)定和標(biāo)準(zhǔn)化。
近日,，一項(xiàng)由國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會主管,，中國計(jì)量科學(xué)研究院主要起草的,，有關(guān)硅片表明元素污染的標(biāo)準(zhǔn)正面向社會征求意見,。據(jù)悉，《表面化學(xué)分析 全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測定硅片表面元素污染》是起草組依據(jù)GB/T 1.1-2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》和《標(biāo)準(zhǔn)化工作指南 第2部分：采用標(biāo)準(zhǔn)》等標(biāo)準(zhǔn)制訂的，規(guī)定了一種測量經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光的或外延生長的硅片表面元素污染的原子表面密度的檢測方法,。
標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿顯示,，實(shí)驗(yàn)的原理是當(dāng)樣品受到X射線輻射時(shí),，樣品中的元素產(chǎn)生具有特征能量的熒光X射線,，熒光X射線的強(qiáng)度會與樣品中元素的含量成正比,，而入射X射線在樣品上發(fā)生全反射減小了入射X射線在樣品中的穿透深度,，這使得從樣品表面區(qū)域(包括沉積在硅片表面的原子)更多地選擇性激發(fā)出熒光X射線。因此,，通過該試驗(yàn)?zāi)軌虻玫骄哂懈咝疟潮群托旁氡鹊腦射線熒光光譜,。
需要注意的是，因本實(shí)驗(yàn)方法使用X射線輻照,，因此,，實(shí)驗(yàn)人員必須避免將身體的任何部位暴露于儀器設(shè)備產(chǎn)生的X射線中,。更為重要的是,，在操作過程中還應(yīng)保持手和手指處于X射線光路之外以及保護(hù)眼睛免受散射的二次X射線輻照,。
據(jù)悉,，標(biāo)準(zhǔn)化組織早在2000年就已經(jīng)發(fā)布了《表面化學(xué)分析 全反射 X 射線熒光光譜法(TXRF)測定硅片表面元素污染》,，而本標(biāo)準(zhǔn)的制訂在一個(gè)方面也是與接軌,，且很好地促進(jìn)了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)的提升。相信標(biāo)準(zhǔn)在實(shí)施后能在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量控制與保證方面起著重要的應(yīng)用價(jià)值,，為此希望相關(guān)單位能在仔細(xì)研核后提出建設(shè)性意見,，為標(biāo)準(zhǔn)的完善添磚加瓦,。
更多詳情請點(diǎn)擊：《表面化學(xué)分析 全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測定硅片表面元素污染》征求意見稿
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